.

0 (hodnocen0 x )

BK

Praha : SNTL, 1979

303 s.

000024111

Předmluva 11 // I. Základy polovodičové techniky 13 // 1. Vodiče 13 // 2. Izolanty 11 // 3. Polovodiče 14 // 4. Vnitřní a valenční elektrony atomu 15 // 5. Vznik elektrického proudu, pohyblivé elektrony 16 // 6. Krystalová struktura, vliv valenčních elektronů 17 // 7. Volné elektrony 17 // 8. Vázané elektrony 18 // 9. Přeměna vázaného elektronu ve volný elektron 18 // 10. Vliv vzrůstu teploty na chování valenčních elektronů 19 // II. Rozdíl mezi polovodičem a izolantem 20 // 12. Vliv vnějšího elektrického pole na volný elektron 20 // 13. Mezery v krystalové mříži a jejich pohyb 21 // 14. Fyzikální model W. Shockleyho 22 // 15. Volný elektron, díra 23 // 16. Vlastní vodivost 23 // 17. Rekombinace 24 // 18. Příměsová vodivost, způsobená pětimocným prvkem 24 // 19. Donory, vodivost typu N, dotace 25 // 20. Příměsová vodivost, způsobená trojmocným prvkem 26 // 21. Vodivost typu P 27 // 22. Difúzni a vodivostní proud 28 // 23. Závěr 28 // 11. Činnost polovodičové diody 31 // 1. Donory, akcoptory, dotace 31 // 2. Silná a slabá dotace základního materiálu 32 // 3. Generace páru elektron—díra 32 // 4. Rekombinace 33 // 5. Doba života nosičů nábojů 33 // 6. Přechod PN 34 // 7. Difúze nosičů nábojů, difúzni proud 34 // 8. Ustálený stav po průchodu difúzního proudu přechodem 35 // 9. Vznik difúzního napětí 36 // 10. Příčina vzniku difúzního napětí 37 // 11. Oblast prostorového náboje 38 // 12. Připojení přechodu PN na vnější napětí 39 // 13. Propustně polarizovaný přechod PN 40 // 5 14. Závěrně polarizovaný přechod PN 40 // 15. Závěrný proud přechodu PN 41 // 16. Vztah mezi hodnotou závěrného napětí a šířkou oblasti prostorového náboje 42 // 17. Kritická hodnota intenzity elektrického pole 43 //

18. Vliv stupně dotace na maximální závěrné napětí přechodu PN 44 // 19. Vliv stupně dotace na úbytek v propustném směru 45 // 20. Diody typu PttN, PvN 45 // 21. Úbytek v propustném směru u diody PvN (PttN) 46 // 22. Vliv rekombinačních center na vlastnosti diody PvN polarizované závěrně 47 // 23. Lavinový průraz 47 // 24. Zenerův průraz 48 // III. Charakteristiky polovodičových diod 50 // 1. Propustná větev statické charakteristiky diody 50 // 2. Diferenciální odpor v propustném směru 51 // 3. Vliv teploty na propustnou charakteristiku diody 52 // 4. Křemíková a germaniová dioda 52 // 5. Ztrátový výkon v propustném směru 53 // 6. Závěrná větev statické charakteristiky diody 54 // 7. Přípustné napěťové zatížení diod 54 // 8. Vliv teploty na průběh závěrné charakteristiky 55 // 9. Závěrný proud křemíkové a germaniové diody 56 // 10. Ztráty v závěrném směru 57 // 11. Průrazné napětí diody I7(br) 57 // 12. Závěrná charakteristika Zenerovy diody 58 // 13. Tepelný odpor ičth 59 // 14. Tepelná nestabilita 59 // 15. Komutace diody 60 // 16. Komutační přepětí 61 // 17. Mezní kmitočet diody 62 // 18. Inverzní dioda 62 // 19. Tunelová dioda 63 // IV. Použití polovodičové diody 66 // 1. Jednopulsní usměrňovač zatížený činným odporem 66 // 2. Grafické určení časového průběhu usměrněného proudu 67 // 3. Střední hodnota usměrněného napětí a proudu 67 // 4. Střídavá složka usměrněného napětí, zvlnění 68 // 5. Jednopulsní usměrňovač zatížený odporem a kapacitou (zatížený protinapětím) 69 // 6. Opakovatelný špičkový propustný proud 69 // 7. Příklad praktického použití jednopulsního usměrňovače v napájecím obvodu // televizoru 70 // 8. Uzlové zapojení 71 // 9. Jednofázový můstek 72 //

10. Průběh proudů a napětí v obvodu jednofázového můstku 73 // 11. Příklad použití jednofázového můstku v napájecí části zařízení pro stereofonní přenos 74 // 12. Nulová dioda 75 // 13. Zdvojovač napětí 76 // 14. Kaskádní zapojení zdvojovačů 76 // 15. Trojfázový můstek 77 // 16. Paralelní zapojení diod 78 // 6 17. Sériové zapojení diod 79 // 18. Stabilizace stejnosměrného napětí stabilizační diodou 79 // 19. Několikastupňový stabilizátor, teplotní kompenzace Zenerovy diody 80 // V. Tranzistor 85 // 1. Tři oblasti struktury tranzistoru 86 // 2. Napájecí napětí tranzistoru PNP 87 // 3. Vztah mezi proudy tranzistoru 87 // 4. Tři základní zapojení tranzistoru 88 // 5. Označení proudů a napětí tranzistoru 89 // 6. Kladné směry proudů a napětí 89 // 7. Zapojení se společným emitorem 91 // 8. Vstupní a výstupní odpor tranzistoru v zapojení se společným emitorem . 92 // 9. Napěťové a výkonové zesílení 93 // 10. Charakteristiky tranzistoru 94 // 11. Výstupní charakteristika tranzistoru 95 // 12. Vstupní charakteristika tranzistoru 96 // 13. Vstupní odpor tranzistoru 97 // 14. Výstupní charakteristika " 98 // 15. Převodní charakteristika 7o = Щв) 98 // 16. Závislost proudového zesílení na kolektorovém proudu 99 // 17. Strmost 100 // 18. Grafické určení převodní charakteristiky Ic = Г(17ве) 101 // 19. Zapojení se společnou bází 102 // 20. Vstupní a výstupní odpor zapojení se společnou bází 103 // 21. Zapojení se společným kolektorem 104 // 22. Proudové zesílení v zapojení tranzistoru se společným kolektorem 105 // 23. Vstupní odpor a napěťové zesílení tranzistoru v zapojení se společným kolektorem 105 // 24. Výstupní odpor a napěťové zesílení tranzistoru v zapojení se společným kolektorem 106 //

25. Přehledné srovnání vlastností zapojení se společným emitorem, bází a kolektorem 107 // VI. Tranzistor jako nízkofrekvenční zesilovač 109 // 1. Zásadní požadavky, kladené na nízkofrekvenční zesilovač 109 // 2. Zkreslení výstupního signálu při zesilování střídavého napětí jedním tranzistorem 110 // 3. Klidový pracovní bod tranzistoru 110 // 4. Nastavení klidového pracovního bodu 111 // 5. Zatěžovací (odporová) přímka 112 // 6. Sum tranzistoru 113 // 7. Proudové zesílení 114 // 8. Zbytkový proud 115 // 9. Pracovní bod - 116 // 10. Buzení tranzistoru zdrojem proudu 116 // 11. Buzení tranzistoru zdrojem napětí 118 // 12. Přizpůsobení 119 // 13. První stupeň předzesilovače v zapojení se společným emitorem 120 // 14. První stupeň předzesilovače v zapojení se společným kolektorem 121 // 15. Zapojení se společnou bází 121 // 16. Jednotlivé stupně nízkofrekvenčního zesilovače 123 // 17. Kapacitní vazba 124 // 18. Transformátorová vazba 124 // 7 19. Korekční členy 125 // 20. Korekční kmitočtový člen 126 // 21. Budicí stupeň 128 // 22. Zpětná vazba 128 // 23. Napěťová zpětná vazba 129 // 24. Proudová zpětná vazba 130 // VII. Koncový stupeň nízkofrekvenčního zesilovače 133 // 1. Úloha reproduktoru 133 // 2. Mezní hodnoty tranzistorů 134 // 3. Jednočinné zapojení 134 // 4. Provoz ve třídě A 135 // 5. Zatěžovací odpor jednočinného koncového stupně, pracujícího ve třídě A . 136 // 6. Ztráty v jednočinném koncovém stupni 137 // 7. Energetická bilance jednočinného zapojení ve třídě A 138 // 8. Jednočinné zapojení s výstupním transformátorem 139 // 9. Souvislost mezi hodnotou zatěžovacího odporu a výstupním výkonem 140 // 10. Napěťové namáhání tranzistoru 141 // 11. Dvojčinné zapojení s provozem ve třídě В 142 //

12. Výstupní výkon dvojčinného zapojení s provozem ve třídě В 143 // 13. Energetická bilance dvojčinného zapojení s provozem ve třídě В 144 // 14. Dvojčinné zapojení s komplementárními tranzistory 145 // 15. Koncový stupeň, osazený dvěma tranzistory typu PNP či NPN 146 // 16. Koncový stupeň, napájený stejnosměrným zdrojem s vyvedeným středem 147 // 17. Koncový stupeň se sériovým kondenzátorom 148 // 18. Výstupní výkon dvojčinného zapojení bez výstupního transformátoru (třída B) 148 // 19. Určení hodnoty zatěžovacího odporu u dvojčinného zapojení ve třídě В 150 // 20. Zkreslení 151 // 21. Záporná zpětná proudová vazba 152 // 22. Záporná napěťová zpětná vazba 153 // 23. Vliv teploty na polohu pracovního bodu 154 // 24. Teplotní stabilizace teplotně závislými odpory 154 // 25. Stabilizace pracovního bodu pomocí křemíkové diody 155 // VIII. Tranzistor jako spínač 159 // 1. Tranzistor v zapojení se společným emitorem 159 // 2. Zbytkový proud Igeo 160 // 3. Zbytkový proud Icee 161 // 4. Zbytkový proud Ices 162 // 5. Zbytkový proud Icbo 162 // 6. Závislost zbytkového proudu na napětí emitor—kolektor 163 // 7. Tranzistor ve vodivém stavu 164 // 8. Zbytkové (saturační) napětí 165 // 9. Určení saturačního napětí tranzistoru 165 // 10. Kolektorová ztráta tranzistorového spínače 166 // 11. Tepelný odpor tranzistoru 167 // 12. Tepelný odpor mezi přechodem a okolím 168 // 13. Aktivní pracovní oblast tranzistoru 169 // 14. Zapínací doba tranzistoru 170 // 15. činitel nasycení 171 // 16. Přesycení tranzistoru v období spínacího pochodu 171 // 17. Vypínací doba 172 // 18. Komutační poměr 173 // 8 19. Vliv komutačního proudu na vypínání tranzistoru 174 // 20. Zvětšení komutačního poměru 175 //

21. Ztráty tranzistoru ve spínacím provozu 176 // 22. Spínací poměr 177 // 23. Spínací provoz výkonových tranzistorů 178 // 24. Spínání indukční zátěže 178 // 25. Vypínání indukční zátěže 179 // 26. Spínání zátěže kapacitního charakteru 180 // 27. Vypínání zátěže kapacitního charakteru 180 // IX. Princip činnosti tyristoru 185 // 1. Názorná představa, vysvětlující rozdíl chování diody a tyristoru 185 // 2. Schematická značka diody a tyristoru 186 // 3. Provozní stavy diody 187 // 4. Provozní stavy tyristoru 188 // 5. Struktura tyristoru 189 // 6. Porovnání struktury diody a tyristoru 189 // 7. Pohyb nosičů nábojů v tyristoru, na který není přivedeno vnější napětí . 190 // 8. Pohyb nosičů nábojů v závěrně polarizovaném tyristoru 191 // 9. Pohyb nosičů nábojů u tyristoru v blokovacím stavu 192 // 10. Řídicí obvod tyristoru 193 // 11. Náhrada struktury tyristoru dvěma komplementárními tranzistory 194 // 12. Pohyb nosičů nábojů ve struktuře fiktivních tranzistorů 194 // 13. Přechod tranzistoru z blokovacího stavu do propustného 195 // 14. Funkce jednotlivých přechodů tyristorové struktury 197 // 15. Maximální závěrné a blokovací napětí tyristoru 197 // 16. Vypínání tyristoru 198 // 17. Impulsové řízení tyristoru 199 // 18. Spojité a nespojité řízení proudu v pracovním obvodu tranzistoru a tyristoru 200 // 19. Tranzistor jako spínač stejnosměrného napětí 201 // 20. Tyristor jako spínač střídavého napětí 202 // 21. Princip řízení elektrického výkonu tyristorem 203 // X. Charakteristiky tyristoru 206 // 1. Statická charakteristika diody 206 // 2. Statická charakteristika tyristoru 207 // 3. Propustná charakteristika 207 // 4. Hodnota prahového napětí a diferenciálního odporu v propustném směru 208 //

5. Závěrná charakteristika 209 // 6. Blokovací charakteristika 210 // 7. Vstupní charakteristika tyristoru 210 // 8. Ühel sepnutí 211 // 9. Horizontální řízení tyristoru 212 // 10. Zapínací napětí, zapínací proud 213 // 11. Přídržný proud 213 // 12. Vertikální řízení tyristoru 214 // 13. Vliv řídicího proudu na závěrnou a blokovací charakteristiku 215 // 14. Ztráty v tyristoru 216 // 15. Vliv teploty na průběh statické charakteristiky tyristoru 217 // 16. Oteplení přechodu, tepelný odpor 218 // 17. Jmenovitý proud tyristoru /тлvn 218 // 18. Opakovatelné závěrné a blokovací napětí 220 // 19. Spínací proud a napětí Igt . Ugt 220 // 20. Katalogový list tyristoru 221 // 9 XI. Použití tyristoru v elektrických obvodech 225 // 1. Jednocestné řízené usměrnění 225 // 2. Průběh napětí a proudu jednocestného usměrňovače 226 // 3. Vnitřní odpor tyristoru 226 // 4. Rozsah řízení výstupního výkonu jednocestného usměrňovače 227 // 5. Antiparalelní zapojení tyristorů 228 // 6. Časové průběhy proudu a napětí v obvodu z obr. 201 229 // 7. Antiparalelní zapojení tyristor — dioda 229 // 8. Průběhy proudu a napětí v obvodu z obr. 203a 230 // 9. Jednoduchý řídicí obvod tyristoru 232 // 10. Použití čtyřvrstvé spínací diody v řídicím obvodu tyristoru 232 // 11. iridici ob(vod se spínací diodou 233 // 12. Celkové schéma jednopulsního řízeného usměrňovače 234 // 13. Celkové schéma obvodu antiparalelních tyristorů 235 // 14. Oblast použití obvodů z článků 12, 13 235 // 15. Jednocestný usměrňovač pro napájení kotvy stejnosměrného motoru 236 // 16. Napájení kotvy motoru jednofázovým řízeným můstkem 237 // 17. Trojfázový můstek’ 238 // 18. Úloha tyristorů v obvodech výkonové elektroniky 238 //

19. Nejdůležitější tyristorovó obvody výkonové elektroniky 239 // 20. Stři dač 240 // 21. Pulsní stejnosměrný měnič 241 // 22. Obecný úkol polovodičových měničů 241 // XII. Triak (diodový tyristor obousměrný) 245 // 1. Činnost tyristoru typu NPNP 245 // 2. Tyristor typu NPNP a PNPN 246 // 3. Antiparalelní zapojení dvou tyristorů 247 // 4. Náhrada antiparalelního zapojení tyristorů triakem 248 // 5. Polovodičová struktura typu NPNPN a PNPNP 249 // 6. Nejčastěji používaný typ struktury triaku 249 // 7. Skutečné rozměry struktury triaku 250 // 8. Rozložení napětí ve struktuře triaku při kladném potenciálu základny (anoda A2) 252 // 9. Rozložení napětí ve struktuře triaku při záporném potenciálu základny (anoda A2) 253 // 10. Zapnutí fiktivního tyristoru Vn 254 // 11. Zapnutí fiktivního tyristoru Vp 254 // 12. Čtyři různé možnosti zapínání triaku 256 // 13. Struktura triaku s přídavnou vrstvou vodivosti typu N 257 // 14. Zapínání hlavních a pomocných tyristorů ve struktuře triaku 257 // 15. Zapínání triaků dle možnosti I až IV 259 // 16. Zapínání podle možnosti II, IV 259 // 17. Zapínání triaku při malém činném odporu řídicího obvodu 260 // 18. Skutečný tvar a uspořádání struktury triaku 260 // 19. Zapínání triaku zvýšeným napětím 261 // 20. Ítízení intenzity osvětlení triakem 262 // 21. Princip činnosti obvodu z obr. 231 263 // 22. Způsoby zapnutí triaku v obvodu z obr. 231 264 // 23. Nevhodné možnosti zapnutí triaku z obr. 231 265 // 24. Důvod nežádoucího zapínání triaku z obr. 231 265 // XIII. Odpovědi na kontrolní otázky, kontrolní testjr a závěrečné testy ke kapitolám I až XII 268 // Rejstřík 302

(OCoLC)42172615

cnb000421097