.

0 (hodnocen0 x )

(1) Půjčeno:1x 

BK

Vyd. 1.

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1988

407 s.

000056185

SEZNAM NEJČASTĚJI POUŽÍVANÝCH SYMBOLŮ A ZKRATEK 9 // PŘEDMLUVA 13 // 1. LITOGRAFIE A TVORBA RELIÉFU A PŘÍKLADY JEJICH // TECHNOLOGICKÝCH APLIKACÍ 17 // 1.1 Úvod 17 // 1.2 Polygrafie a reprodukční technika 17 // 1.3 Elektronika a mikroelektronika 21 // 1.4 Soudobé trendy vývoje litografie a litografických materiálů 32 // 1.5 Literatura 36 // 2. FYZIKÁLNÍ A FYZIKÁLNĚ CHEMICKÉ ZÁKLADY LITOGRAFICKÝCH TECHNIK A PROCESŮ 39 // 2.1 Světelné záření a fotolitografie 39 // 2.1.1 Kontaktní metoda 39 // 2.1.2 Bezkontaktní metoda 41 // 2.1.3 Projekční metoda 42 // 2.1.4 Fyzikální limity optického způsobu záznamu 44 // 2.1.4.1 Koherence světla 44 // 2.1.4.2 Tvorba obrazu 45 // 2.1.4.3 Difrakce světla 47 // 2.1.4.4 Numerická apertura 51 // 2.1.4.5 Funkce přenosu kontrastu 53 // 2.1.4.6 Vliv vlnové délky světla 57 // 2.1.4.7 Hloubka ostrosti 57 // 2.1.4.8 Vliv stojatého vlnění 58 // 2.1.5 Závěr 60 // 2.2 Elektronové záření a elektronová litografie 61 // 2.2.1 Skenovací systémy 63 // 2.2.2 Projekční systémy 66 // 2.2.3 Funkční prvky elektronových litografů 67 // 2.3 Rentgenové záření a rentgenová litografie 71 // 2.3.1 Masky pro rentgenovou litografii 73 // 2.3.2 Praktické aspekty rentgenové litografie 74 // 2.4 Iontová litografie 77 // 2.5 Hybridní litografie 78 // 2.6 Vedlejší účinky radiačního záření 79 // 5 2.7 Technologické procesy 70 // 2.7.1 Vliv čistoty podložky 89 // 2.7.2 Ovrstvování podložky rezistem 82 // 2.7.3 Předexpoziční ohřev (předtvrzení) 86 // 2.7.4 Expozice 89 // 2.7.4.1 Zdroje ultrafialového záření 89 // 2.7.4.2 Litografická citlivost 91 // 2.7.4.3 Stanovení optimálního expozičního času 92 // 2.7.4.4 Modelování expozice ve fotolitografii 9б // 2.7.5 Vyvolávání 103 // 2.7.6 Dotvrzování 108 // 2.7.7 Leptání 109 // 2.7.8 Odstraňování rezistu 111 //

2.7.9 Stabilita a čistota roztoků rezistů 111 // 2.7.10 Problematika adheze rezistů k podložce 112 // 2.8 Literatura 115 // 3. INTERAKCE IONIZUJÍCÍHO ZÁŘENÍ S ATOMY, MOLEKULAMI A POLYMERY 120 // 3.1 Šíření záření ve hmotě 120 // 3.1.1 Elektronové záření 120 // 3.1.2 Elektromagnetické záření 122 // 3.1.3 Lineární ztráta energie (LET) 123 // 3.1.4 Veličiny charakterizující absorpci energie ionizujícího záření v látce 123 // 3.1.5 Zdroje ionizujícího záření 124 // 3.2 Způsoby přenosu energie ionizujícího záření na ozařovanou hmotu a jeho důsledky 125 // 3.2.1 Nábojový přenos energie 125 // 3.2.2 Excitační přenos energie 126 // 3.2.3 Závislost přenosu energie na energii záření 127 // 3.2.4 Reakce v tuhé fázi 128 // 3.3 Mechanismus interakcí ionizujícího záření s polymery 130 // 3.3.1 Dienové polymery 130 // 3.3.2 Polyakryláty a polymethakryláty 133 // 3.3.3 Polyolefiny a polyolefinsulfony 138 // 3.3.4 Aromatické polymery 140 // 3.3.5 Oxidační procesy při ozařování polymerů 140 // 3.4 Popis sífovacích a degradačních reakcí polymerů 141 // 3.4.1 Degradace polymerních molekul 142 // 3.4.1.1 Degradační účinnost 143 // 3.4.2 Síťování polymerních molekul 144 // 3.4.2.1 Bod gelace a systém za bodem gelace 145 // 3.4.2.2 Sífovací účinnost 147 // 3.5 Parametry ovlivňující citlivost polymerů k ionizujícímu záření 149 // 3.6 Literatura 155 // 6 4. REZISTY PRO TECHNOLOGICKÉ APLIKACE 160 // 4.1 Elektronové a rentgenové rezisty 160 // 4.1.1 Distribuce energie elektronů ve vrstvě polymeru 160 // 4.1.2 Metody hodnocení elektronových a rentgenových rezistů 169 // 4.2 Materiály pro elektronové rezisty 178 // 4.2.1 Negativní elektronové rezisty 179 // 4.2.2 Pozitivní elektronové rezisty 196 // 4.2.3 Rentgenové rezisty 206 // 4.2.4 Anorganické rezisty 207 //

4.3 Pozitivní fotorezisty 208 // 4.3.1 Systémy s hydrofobní světlocitlivou přísadou 209 // 4.3.1.1 Diazochinon a polymer rozpustný v zásadách 209 // 4.3.1.1.1 Detailní struktura, fotolýza a tepelné chování diazonaftochinonů 209 // 4.3.1.1.2 Základní komponenty fotorezistů 217 // 4.3.1.1.3 Modifikace polymerní složky fotorezistů 220 // 4.3.1.1.4 Metody zlepšení vlastností směsí 222 // 4.3.1.2 Směsné systémy s katalyzovanou hydrolýzou 230 // 4.3.1.3 Směsné fotooxidační systémy 231 // 4.3.2 Systémy založené na přeměnách polymerů 232 // 4.3.2.1 Systémy založené na hydrolýze polymeru 232 // 4.3.2.2 Systémy založené na fotolýze o-nitrobenzylových skupin 233 // 4.3.2.2.1 Systémy založené na přeměnách bočních řetězců polymeru 233 // 4.3.2.2.2 Systémy založené na přeměnách hlavních řetězců polymeru 234 // 4.3.2.2.3 Jiné způsoby přeměn 235 // 4.4 Negativní fotorezisty 236 // 4.4.1 Světlocitlivé směsi na bázi diazoniových solí 236 // 4.4.1.1 Diazoniové soli 236 // 4.4.1.2 Diazoniové pryskyřice 238 // 4.4.2 Fotorezisty na bázi azidů 248 // 4.4.2.1 Fotochemické vlastnosti arylazidů 249 // 4.4.2.2 Systémy s diazidy rozpustnými v organických rozpouštědlech 256 // 4.4.2.3 Arylazidy rozpustné ve vodě 265 // 4.4.2.4 Fotorezisty na bázi azidopolymerů 268 // 4.4.3 Fotorezisty na bázi polyvinylcinnamátů a jiných cyklodimerujících // systémů 273 // 4.4.3.1 Cyklodimerující systémy 284 // 4.5 Fotorezisty pro speciální aplikace 290 // 4.5.1 Fotorezisty pro krátkovlnné ultrafialové světlo 290 // 4.5.1.1 Pozitivní fotorezisty 290 // 4.5.1.2 Negativní fotorezisty 300 // 4.5.2 Tepelně stálé fotorezisty 301 // 4.5.3 Fotorezisty pro suché vyvolávání 307 // 4.5.4 Difúzní fotorezisty 310 // 4.5.5 Systémy pro mechanický přenos reliéfního zobrazení 316 //

4.5.6 Světlocitlivé vrstvy pro suchý ofset 322 // 7 4.5.7 Světlocitlivé vrstvy vytvrzované Lewisovými a Bronstedovými kyselinami 331 // 4.6 Literatura 344 // 5. SPECIÁLNÍ LITOGRAFICKÉ TECHNIKY A MATERIÁLY 357 // 5.1 Litografické systémy s vícevrstvými rezisty (MLR) 357 // 5.1.1 Praktické provádění techniky MLR 366 // 5.1.2 Zhodnocení soudobých MLR 368 // 5.2 Plazmatický lept 369 // 5.3 Suchá mikrolitografie 374 // 5.4 Soudobé komerční rezisty 376 // 5.4.1 Hodnocení vlastností rezistů 376 // 5.4.2 Tabelární přehled 378 // 5.5 Literatura 400 // ZKRATKY PLASTŮ A SPECIÁLNÍ OZNAČENÍ 404 // REJSTŘÍK 405

(OCoLC)39426853

cnb000042995