.

0 (hodnocen0 x )

BK

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1970

370 stran : ilustrace ; 21 cm + 2 volné přílohy

000060555

Seznam znaků ...9 // I. Požadavky na měření polovodičových součástek ...19 // II. Všeobecné požadavky na měřicí obvody ...21 // III. Charakteristické veličiny při statickém provozu ...23 // 1. Měření metodou bod po bodu ...25 // a) Všeobecná pravidla ...25 // Měření stejnosměrným proudem ...29 // Impulsní měření ...32 // b) Měření diod ...33 // c) Měření tranzistorů ...35 // d) Měření tyristorů ...47 // e) Měření fotonek ...49 // f ) Měření logických integrovaných obvodů ...50 // 2. Plynulé snímání statických charakteristik ...53 // a) Snímání charakteristik diod ...55 // b) Snímání charakteristik tranzistorů ...55 // c) Snímání charakteristik tyristorů ...57 // d) Snímání charakteristik tunelových diod ...58 // 3. Používané měřicí přístroje ...60 // Literatura ke kap. III ...61 // IV. Měření nízkofrekvenčních parametrů ...62 // 4. Měření nízkofrekvenčních parametrů diod a tranzistorů ...62 // a) Nízkofrekvenční parametry diod ...62 // Měření dynamického odporu Zenerových diod ...62 // Měření záporné diferenciální vodivosti tunelových diod ...64 // Měření sériového odporu tunelových diod ...67 // Měření fotoelektrické citlivosti polovodičových fotonek ...68 // b) Nízkofrekvenční parametry tranzistoru ...69 // Velikost měřicího signálu, jeho kmitočet, ss pracovní bod ...69 // Metody a podmínky správného měření ...72 // Měření nf čtyřpólových parametrů

tranzistorů ...73 // Osciloskopické měření hne = f(Ic) ...83 // 5. Měření nízkofrekvenčního‘šumu tranzistorů ...85 // a) Šum tranzistorů ...85 // b) Měření nf činitele šumu F ...86 // c) Konstrukce měřičů nf šumu ...87 // Literatura ke kap. IV ...90 // 5 V. Tranzistor a dioda na vysokých kmitočtech, jejich parametry a náhradní // schémata ...92 // 6. Základní činitelé ovlivňující dvoupólové a čtyřpólové parametry . . 99 // a) Difúzni kapacita Сд ...100 // b) Kapacita zavřeného přechodu Ct [17] 101 // c) Doba průchodu nosičů bází ...102 // d) Parazitní parametry pouzdra [20] ...105 // 7. Náhradní schémata vf diod ...109 // 8. Náhradní schémata vf tranzistorů ...110 // a) Vzájemné vztahy mezi parametry у v zapojení SB a SE ...114 // b) Význam použití a parametrů s ...116 // 9. Způsoby připojení polovodičových součástek do vf obvodů se soustředěnými i rozloženými parametry ...119 // 10. Přehled parametrů polovodičových součástek a měřicích zařízení československé a zahraniční výroby ...122 // Literatura ke кар. V ...123 // VI. Technika měření v obvodech se soustředěnými parametry ...125 // 11. Měření vstupních a výstupních parametrů čtyřpólů a parametrů diod 125 // a) Rezonanční metody ...125 // b) Nulové metody ...127 // c) Transformátorové můstky ...128 // d) Vf můstky ...130 // 12. Měření přenosových parametrů ...140 // a) Měření přenosových parametrů

soupravami pro měření fáze a útlumu 140 // b) Použití transformátorových můstků pro měření přenosových parametrů ...144 // c) Jednoúčelové vf měřicí obvody ...147 // 13. Měření vf neadmitančních parametrů diod ...150 // 14. Měření vf neadmitančních parametrů tranzistorů ...152 // Literatura ke кар. VI ...154 // VII. Měřicí technika s koaxiálními obvody ...156 // 15. Měření parametrů mikrovlnných diod ...159 // 16. Měření parametrů yu, y22, ů22, yo, yvýst, ya měřicím vedením . . . . 164 // 17. Měření přenosových parametrů měřicím vedením ...171 // 18. Thurstonův admitační komparátor a jeho použití ...174 // 19. Měření pomocí koaxiálních vedení se směrovými vazbami ...181 // 20. Z—g Diagraph a jeho použití při měření parametrů polovodičových // součástek ...187 // 21. Zpracování a vyhodnocení naměřených komplexních parametrů . . . 198 // Literatura ke кар. VII ...206 // VIII. Měření mezního kmitočtu ...208 // 22. Mezní kmitočty tranzistoru . . . ...208 // 23. Zapojení na měření mezních kmitočtů ...209 // 24. Přesnost měření mezních kmitočtů ...215 // 25. Kmitočtový rozsah měřičů mezních kmitočtů, vliv součástek ...217 // 26. Provedení měřičů mezních kmitočtů ...220 // Literatura ke кар. VIII ...226 // 6 IX. Měření náhradního schématu polovodičových součástek a výkonového zesílení tranzistoru ...228 // 27. Kapacita přechodu PN

v závěrném směru Ct ...228 // 28. Odpor báze rub’ ...231 // 29. Kapacita kolektoru Сь’с a součin гьь’Сь’с = тсъ ...234 // 30. Měření výkonového zesílení tranzistorů ...238 // Literatura ke кар. IX ...244 // X. Měření vf šumu tranzistorů a diod ...245 // 31. Určení šumového čísla F z fyzikálního náhradního schématu ...246 // 32. Vlastnosti šumového čtyřpólu ...249 // 33. Měření šumového ěísla šumovým generátorem ...253 // 34. Korekce naměřeného šumového ěísla F o šum detektoru (měřiče výkonu) 258 // 35. Příklady použití šumového generátoru pro měření šumového čísla F . 259 // Literatura ke кар. X ...265 // XI. Měření spínacích parametrů polovodičových součástek ...266 // 36. Měření spínacích vlastností diod ...269 // a) Závěrná zotavovací doba a zbytkový náboj ...269 // b) Napěťová a proudová zotavovací doba ...274 // c) Měření spínacích časů tunelových diod ...275 // 37. Měření spínacích vlastností tranzistorů ...277 // a) Měření spínacích časů tranzistorů ...277 // b) Pracovní podmínky a základní zapojení měřicích obvodů ...278 // c) Měření času tv,p a ts ...285 // d) Měření spínacích časů výkonových tranzistorů ...286 // e) Zjednodušení postupu měření ...287 // f) Měření nábojových parametrů tranzistoru ...289 // g) Závislost časů na ostatních parametrech tranzistoru ...297 // 38. Měření spínacích vlastností čtyřvrstvových

diod a tyristorů ...299 // a) Měření spínacích časů a dynamického propustného průrazného napětí // čtyřvrstvových diod ...299 // b) Měření zapínací doby tyristorů ...301 // c) Doba vypnutí tyristorů ...305 // 39. Měření spínacích vlastností logických integrovaných obvodů ...308 // a) Měření zpoždění přenosu výstupního impulsu tpd, (tpdo, tpdi) ...308 // b) Měření zpoždění logické nuly a jedničky «do, idi a délky hran výstupních impulsů to, ti ...311 // c) Ostatní měření spínacích vlastností logických integrovaných obvodů 312 // 40. Početní oprava naměřených spínacích časů ...314 // Literatura ke кар. XI ...315 // XII. Určování mezního ztrátového výkonu ...317 // 41. Ztrátový výkon polovodičových součástek ...317 // 42. Elektrotepelné parametry polovodičových součástek ...320 // a) Tepelné náhradní zapojení pro stejnosměrný provoz ...320 // b) Tepelné náhradní zapojení pro impulsní provoz ...321 // 43. Měření elektrotepelných parametrů ...324 // a) Realizace tepelných pracovních podmínek ...324 // b) Metody měření teplot ...325 // c) Základní metody měření tepelného odporu ...327 // 7 44. Zapojeni měřicích obvodů ...329 // a) Impulsní metody ...329 // b) Kontinuální metody ...337 // c) Závislost tepelného odporu tranzistorů ...339 // 45. Výpočet mezního ztrátového výkonu ...340 // 46. Ověřování zatížitelnosti ...341 // 47. Zjišťování tepelných

poměrů v integrovaných obvodech ...342 // Literatura ke kap. XII ...342 // XIII. Určování mezních napětí diod a tranzistorů ...344 // 48. Průrazné napětí diody ...345 // 49. Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem tranzistoru ...350 // 50. Měření a zkoušení průrazného napětí při malých proudech ...352 // 51. Měření a zkoušení průrazného napětí při velkých proudech ...353 // a) Měření z vypnutého stavu tranzistoru ...354 // b) Měření ze sepnutého stavu tranzistoru ...355 // 52. Druhý průraz tranzistoru ...362 // 53. Dotykové napětí ...365 // Literatura ke kap. XIII ...366 // XIV. Mezní proudy polovodičových součástek ...367 // 54. Mezní proudy diod a tyristorů ...367 // 55. Mezní proudy tranzistorů ...369 // Literatura ke kap. XIV ...371 // 8

(OCoLC)42170163

cnb000428195