.

0 (hodnocen0 x )

BK

Příručka

Praha : Academia, 1983

257 s.

000078709

PŘEDMLUVA 9 // SEZNAM POUŽITÝCH SYMBOLŮ 10 // 1. ÚVOD 17 // 2. PIEZOELEKTRICKÉ LÁTKY A JEJICH ELASTICKÉ, DIELEKTRICKÉ A // PIEZOELEKTRICKÉ VLASTNOSTI 19 // 2.1 Elastické vlastnosti krystalů 20 // 2.2 Dielektrické a piezoelektrické vlastnosti krystalů 25 // 2.3 Lineární piezoelektrické stavové rovnice 26 // 2.4 Transformace materiálových konstant 30 // 2.5 Nelineární elektroelastické rovnice 31 // 2.6 Popis krystalické struktury 33 // 2.7 Využívané piezoelektrické krystalické látky 40 // 2.7.1 Křemen 41 // 2.7.2 Lithium niobát a lithium tantalát 46 // 2.7.3 Germanium bizmut 50 // 2.8 Piezoelektrická keramika 52 // 2.9 Piezoelektrické polymery 53 // 3. KMITY PIEZOELEKTRICKÝCH VÝBRUSŮ 54 // 3.1 Kmity tyčinek 54 // 3.1.1 Podélné kmity tyčinek 55 // 3.1.2 Ohybové kmity tyčinek 63 // 3.1.3 Torzní kmity tyčinek 67 // 3.2 Tloušťkové kmity tenkých piezoelektrických desek 69 // 3.2.1 Kmity nekonečně rozlehlé tenké piezoelektrické desky 69 // 3.2.2 Kmity tenké piezoelektrické desky charakterizované vznikem dvourozměrných // stojatých vln 74 // 3.2.3 Vynucené kmity ohraničené tenké piezoelektrické desky 79 // 4. APROXIMATIVNÍ ŘEŠENÍ KMITŮ PIEZOELEKTRICKÝCH DESEK 83 // 4.1 Aproximativní řešení kmitů ohraničených piezoelektrických desek využívající rozvoje v mocninnou řadu 83 // 4.1.1 Vyjádření základních veličin pomocí mocninné řady 84 // 4.1.2 Řešení vázaných tloušťkově střižných, tloušťkově torzních a ohybových kmitů // piezoelektrických desek s monoklinickou symetrií 86 // 5 4.1.3 Řešení vázaných tloušťkově střižných, tloušťkově torzních a ohybových kmitů částečně pokovených piezoelektrických desek 98 // 4.2 Jednorozměrné aproximativní řešení kmitů ohraničených úzkých piezoelektrických destiček využívající rozvoje v mocninnou řadu 111 //

4.3 Aproximativní řešení kmitů ohraničených piezoelektrických desek využívající rozvoje pomocí Legendreových polynomů 119 // 5. ELEKTRICKÝ NÁHRADNÍ OBVOD PIEZOELEKTRICKÝCH REZONÁTORŮ 121 // 5.1. Odvození elektrického náhradního obvodu se soustředěnými parametry 121 // 5.1.1 Elektrický náhradní obvod a admitanční matice tenké úzké tyčinky 122 // 5.1.2 Elektrický náhradní obvod tloušťkově kmitající tenké piezoelektrické tyčinky 130 // 5.1.3 Elektrický náhradní obvod piezoelektrických rezonátorů ve tvaru kruhových destiček s kruhovými elektrodami 135 // 5.2 Vlastnosti elektrického náhradního obvodu piezoelektrického rezonátorů se dvěma elektrodami 137 // 5.3 Ovlivnění sériového a paralelního rezonančního kmitočtu piezoelektrického rezonátoru sériově nebo paralelně připojenou reaktancí 140 // 5.4 Teplotní a časová stabilita parametrů elektrického náhradního obvodu 143 // 5.5 Změny parametrů elektrického náhradního obvodu zprostředkované nelineárními vlastnostmi krystalů 150 // 5.5.1 Vliv stejnosměrného elektrického pole 150 // 5.5.2 Vliv působení elastických napětí 151 // 5.5.3 Vliv velikosti budicího proudu 153 // 5.6 Elektrický náhradní obvod piezoelektrického rezonátorů s rozprostřenými parametry 155 // 5.7 Měření parametrů elektrického náhradního obvodu piezoelektrických rezonátorů.. 156 // 5.7.1 Měření rezonančního kmitočtu 157 // 5.7.2 Určení dynamické kapacity z měření rozladění dvěma kapacitními reaktancemi 158 // 6, UŽÍVANÉ PIEZOELEKTRICKÉ REZONÁTORY A VÍCEREZONÁTOROVÉ STRUKTURY 160 // 6.1 Piezoelektrické křemenné rezonátory využívající ohybových, podélných a plošně střižných kmitů 161 // 6.1.1 Ohybově kmitající rezonátory 162 // 6.1.2 Rozpínavé kmitající rezonátory 170 //

6.1.3 Plošně střižně kmitající rezonátory 173 // 6.2 Piezoelektrické křemenné rezonátory využívající tloušťkově střižných kmitů 177 // 6.2.1 Rezonátory typu AT 181 // 6.2.2 Rezonátory typu ВТ 186 // 6.2.3 Některé další typy tloušťkově střižně kmitajících rezonátorů s malou teplotní závislostí rezonančního kmitočtu 187 // 6.2.4 Rezonátory s lineární teplotní závislostí rezonančního kmitočtu 188 // 6.3 Rezonátory z LiNb03 a LiTaOj 188 // 6.4 Dvourezonátorová struktura tvaru H 191 // 6.5 Vícerezonátorové struktury využívající tloušťkově střižných a tloušťkově torzních kmitů 194 // 6.5.1 Dvourezonátorová elasticky vázaná struktura využívající vazby pomocí tloušťkově střižných kmitů, určení koeficientu mezirezonátorové vazby 194 // 6.5.2 Dvourezonátorová elasticky vázaná struktura využívající vazby pomocí tloušťkově torzních kmitů 201 // 6.5.3 Dvourezonátorové elasticky vázané struktury s kombinovanou vazbou 203 // 6.6 Vícerezonátorové struktury využívající tloušťkově podélných kmitů 203 // 7. TECHNOLOGIE VÝROBY A POUŽITÍ PIEZOELEKTRICKÝCH REZONÁTORŮ 206 // 7.1 Příprava a opracování výbrusů 206 // 7.1.1 Výběr a dělení křemenných monokrystalů 207 // 7.1.2 Kontrola orientace výbrusů 210 // 7.1.3 Broušení a leštění 211 // 7.2 Nanesení elektrod, montáž a nastavení parametrů 214 // 7.2.1 Pokovení výbrusů 214 // 7.2.2 Nastavení rezonančního kmitočtu a ostatních parametrů rezonátorů 215 // 7.2.3 Pouzdření piezoelektrických rezonátorů 216 // 7.3 Vliv technologie výroby na parametry piezoelektrických rezonátorů 218 // 7.4 Použití piezoelektrických rezonátorů v pasivních selektivních obvodech 220 // 7.4.1 Krystalové a piezokeramické filtry 220 // 7.4.2 Monolitické krystalové filtry 228 //

7.4.3 Krystalové diskriminátory 232 // 7.5 Použití piezoelektrických rezonátorů pro stabilizaci kmitočtu 233 // 7.5.1 Stabilita kmitočtu 233 // 7.5.2 Užívaná zapojení krystalových oscilátorů 235 // 7.5.3 Termostatované krystalové oscilátory 237 // 7.5.4 Teplotně kompenzované a napěťově řízené krystalové oscilátory 238 // 7.6 Doslov 243 // LITERATURA 245 // SUMMARY 253 // РЕЗЮМЕ 254 // REJSTŘÍK 255

(OCoLC)18463078

cnb000155922