.

0 (hodnocen0 x )

BK

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1980

464 s.

000079422

Předmluva 6 // Seznam nejdůležitějších symbolů 12 // 1. Metody popisu šumu a analýza transformací signálu a šumu 15 // 1.1. Úvod 15 // 1.2. Náhodné děje a jejich pravděpodobnostní charakteristiky 15 // 1.3. Spektrální charakteristiky náhodných dějů 17 // 1.4. Vzájemná korelace a vzájemná spektra 19 // 1.5. Lineární transformace náhodných dějů 21 // 1.6. Příklady stacionárních náhodných dějů a jejich lineárních transformací 25 // 1.7. Základní zdroje šumu v elektrických obvodech a aktivních součástkách 30 // 1.8. Šumy dvojpólů a jejich charakteristiky 38 // 1.9. Šumy trojpólů a jejich charakteristiky 40 // 1.10. Šumové číslo zesilovače 44 // 1.11. Šumové číslo několikastupňového zesilovače 50 // 1.12. Doplňkové šumové číslo. Šumová teplota. Míra šumu 52 // 1.13. Šumové číslo měniče kmitočtu a jiných lineárních obvodů 54 // 1.14. Znázornění šumu jako součtu dvou kvadraturních kmitů. Spektra fluktuací // amplitudy a fáze součtu harmonického signálu a šumu 55 // 1.15. Spektrum kmitů s malými stacionárními fluktuacemi amplitudy a fáze 57 // 1.16. Transformace kmitů s fluktuující amplitudou a fází lineárními soustavami 60 // 1.17. Transformace kmitů s fluktuující amplitudou a fází nezpožďujícími nelineárními (bezinerčními) soustavami 65 // 1.18. Periodický nestacionární šum s korelací

ô a šum typu 1// 69 // 2. Šum obvodů s bipolárními tranzistory 73 // 2.1. Šumový náhradní obvod bipolárních tranzistorů 73 // 2.2. Šumové parametry bipolárních tranzistorů v oblasti středních kmitočtů 81 // 2.3. Šumové parametry bipolárních tranzistorů v oblasti nízkých kmitočtů 86 // 2.4. Šumové parametry bipolárních tranzistorů v oblasti vysokých kmitočtů 93 // 2.5. Návrh nízkofrekvenčních zesilovačů s bipolárními tranzistory s malým // šumem 100 // 2.6. Dvojstupňový nízkofrekvenční zesilovač v zapojení SE-SE 113 // 2.7. Nízkofrekvenční kaskóda s paralelně řazenými vstupními tranzistory 116 // 2.8. Návrh vysokofrekvenčních zesilovačů s bipolárními tranzistory s malým // šumem 118 // 2.9. Kruhové diagramy vysokofrekvenčního zesilovače 121 // 2.10. Vysokofrekvenční zesilovač s paralelně řazenými tranzistory 132 // 8 2.11. Jednostupňový zesilovač v zapojení SB, pro kmitočet 100 MHz 135 // 2.12. Směšovač televizního kanálového voliče 139 // 2.13. Mikrovlnný zesilovač pro kmitočtové pásmo 2 až 4 GHz 146 // 3. Šum obvodů s tranzistory řízenými elektrickým polem 153 // 3.1. Šumový náhradní obvod tranzistorů JFET 153 // 3.2. Šumové parametry tranzistorů JFET v oblasti středních kmitočtů 160 // 3.3. Šumové parametry tranzistorů JFET v oblasti nízkých kmitočtů 169 // 3.4. Šumové parametry tranzistorů

JFET v oblasti vysokých kmitočtů 179 // 3.5. Šumové parametry tranzistorů MESFET 187 // 3.6. Šumové parametry tranzistorů MOSFET 194 // 3.7. Určení prvků náhradního obvodu zapojení se společným emitorem 199 // 3.8. Zapojení se společným hradlem a kolektorem 199 // 3.9. Návrh obvodů s malým šumem s tranzistory FET pro obrazové kmitočty 202 // 3.10. Předzesilovač pro kondenzátorový mikrofon 206 // 3.11. Obrazový zesilovač 211 // 3.12. Zesilovač s tetrodou MOS pro kmitočet 400 MHz 216 // 3.13. Vysokofrekvenční zesilovač v zapojení s uzemněným mezilehlým bodem 222 // 3.14. Mikrovlnné zesilovače s tranzistory MESFET 229 // 4. Šum monolitických integrovaných obvodů 236 // 4.1. Náhradní šumový obvod integrovaného tranzistoru 236 // 4.2. Šumové číslo integrovaného tranzistoru 239 // 4.3. Šumové číslo kaskády dvou tranzistorů v integrovaném obvodu 242 // 4.4. Šum integrovaného tranzistoru v nízkofrekvenční oblasti. Diferenciální // zesilovač 247 // 4.5. Vliv zpětné vazby na šum 252 // 5. Šum obvodů s polovodičovými diodami 255 // 5.1. Tunelová dioda 255 // 5.2. Schottkyho bariérová dioda 259 // 6. Šum parametrických polovodičových zesilovačů 270 // 6.1. Princip parametrických zesilovačů 270 // 6.2. Varaktorové diody pro parametrické zesilovače 274 // 6.3. Nedegenerativní parametrický zesilovač 276 // 6.4. Parametrický měnič kmitočtu 281

// 6.5. Nízkofrekvenční parametrický zesilovač 281 // 7. Šumy tranzistorových zesilovačů velkého signálu a násobičů kmitočtu 285 // 7.1. Obecné poznatky 285 // 7.2. Znázornění signálů a šumů ve stupni s nelineárním šumovým trojpólem 286 // 7.3. Symbolické vztahy pro šumy na výstupu stupně 293 // 7.4. Spektrální charakteristiky šumů na výstupu zobecněného stupně 298 // 9 7.5. Charakteristiky zesilovacího stupně s bipolámím tranzistorem, bez uvažování šumu 302 // 7.6. Šumy bipolárního tranzistoru při velkém harmonickém signálu na jeho // vstupu 311 // 7.7. Šumy nejjednoduššího zesilovače velkých signálů s bipolámím tranzistorem 317 // 7.8. Vliv emitorového samočinného předpětí na šumy zesilovače 324 // 7.9. Vliv proudové záporné zpětné vazby na šumy zesilovače 332 // 7.10. Šumy násobičů kmitočtu s bipolárními tranzistory 342 // 7.11. Průchod vnějších fluktuací zesilovači a násobiči kmitočtu s bipolárními // tranzistory 348 // 7.12. Šumy zesilovačů velkého signálu a násobičů kmitočtu a tranzistorem FET 351 // 7.13. Transformace fluktuací amplitudy a fáze signálu v zesilovačích a násobičích // kmitočtu s tranzistory FET 355 // 7.14. Výpočet šumů mnohostupňových zařízení 356 // 8. Šumy tranzistorových oscilátorů 359 // 8.1. Současný stav problematiky 359 // 8.2. Funkční schéma a symbolické rovnice oscilátoru se

zdroji šumů 359 // 8.3. Zjednodušené rovnice oscilátoru 364 // 8.4. Stacionární režim oscilátoru a jeho závislost na parametrech 368 // 8.5. Fluktuační rovnice oscilátoru a symbolické vztahy pro fluktuace amplitudy a fáze 372 // 8.6. Energetická spektra a další charakteristiky fluktuací amplitudy a fáze // oscilací 377 // 8.7. Energetické spektrum oscilací oscilátoru a poměr šumu к signálu při zadaném // rozladění od oscilačního kmitočtu 381 // 8.8. Šumy oscilátoru s ideální aktivní součástkou a normované (poměrné) charakteristiky šumů reálných oscilátorů 386 // 8.9. Šumy oscilátoru s jediným laděným obvodem, používajícím jako aktivní součástku bipolámí tranzistor 389 // 8.10. Vliv záporné zpětné vazby na šumové charakteristiky tranzistorového // oscilátoru 392 // 8.11. Šumy oscilátoru s jedním laděným obvodem a tranzistorem FET 393 // 8.12. Šumy krystalového oscilátoru s jedním laděným obvodem 396 // 8.13. Porovnání příspěvků šumu oscilátoru a zesilovače u nejjednoduššiho zdroje // oscilací 401 // 9. Měření Šumových vlastností polovodičových součástek a obvodů 403 // 9.1. Doporučení IEC pro měření šumového čísla tranzistorů 403 // 9.2. Měření šumového čísla v oblasti středních kmitočtů šumovým generátorem // s proměnným šumovým výkonem 406 // 9.3. Měření šumového čísla v oblasti nízkých kmitočtů

signálovým generátorem 413 // 9.4. Měření šumového čísla v oblasti vysokých kmitočtů šumovým generátorem // s neřízeným výstupem 416 // 9.5. Automatické měření šumového čísla 421 // 10 9.6. Měření šumového čísla tranzistorových směšovačů 428 // 9.7. Měření čtyř šumových parametrů 431 // 9.8. Měření šumu diod 434 // 9.9. Měření šumových vlastností operačních zesilovačů 436 // 9.10. Kvadratické voltmetry 438 // Příloha: Příklady polovodičových obvodů s malým šumem 443 // Literatura 455

(OCoLC)40079948

cnb000159028