.

0 (hodnocen0 x )

BK

Příručka

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1979

358 s.

000080137

Předmluva k českému vydání б // Seznam nejdůležitějších symbolů 12 // ÚVOD 17 // Historický přehled 17 // Současné tranzistory řízené elektrickým polem 19 // Literatura 21 // STRUKTURA MIS 22 // Úvod 22 // Elektrofyzikálni model ideální struktury MIS // Náboj rozložený pod povrchem polovodiče // Charakteristika kapacita—napětí ideální struktury MIS // Charakteristika kapacita—napětí při nízkých kmitočtech // Charakteristika kapacita—napětí při vysokých kmitočtech // Nerovnovážná charakteristika kapacita—napětí // Elektrofyzikálni model skuteéné struktury MIS // Klasifikace povrchových stavů a nábojů ve struktuře MIS // Metody určení elektrofyzikálních parametrů skutečné struktury MIS // Kapacitní porovnávací metody zkoumání struktur MIS // Přímé admitanční metody zkoumání struktur MIS // Zhodnocení metod zkoumání struktur MIS // Vliv kontaktního potenciálového rozdílu, teploty a osvétlení na parametry // struktury MIS 55 // Vliv kontaktního potenciálového rozdílu 55 // Vliv teploty 59 // Vliv osvětlení 60 // Vodivost a průraz dielektrické vrstvy ve struktuře MIS 62 // Transport náboje v dielektrické vrstvě struktury MIS 62 // Schottkyho proud 62 // Tunelový proud 63 // Proud Frenkela—Poolèa 64 // Proud omezený rozloženým nábojem 64 // Přeskokový proud 65 // Iontový proud 65 // Průchod proudu v některých strukturách MIS 65 // Průraz vrstvy SÍO2 ve struktuře MOS 69 // Druhy pouíívaných dielektrických vrstev a fyzikálné-chemické vlastnosti // struktury MIS 71 // Vrstva SÍO2 ve struktuře MOS 71 // Pohyblivý náboj ve vrstvě oxidu 72 // Vázaný náboj Qss povrchových stavů 77 // 7 8.1.3. Proměnný náboj Qst povrchových stavů 78 // 8.1.4. Vliv parametrů vytváření oxidu a vliv oteplení na povrchové stavy 81 //

8.1.5. Fyzikálně-ehemické znázornění povrchových stavů 82 // 8.2. Vrstva SÍ3N4 ve struktuře MNS 85 // 8.3. Vrstva AI2O3 ve struktuře MAS 86 // 8.4. Podvojné vrstvy dielektrika ve struktuře MIS 87 // 8.4.1. Struktura M — P2O5 . SiCh—SiO2—Si 87 // 8.4.2. Struktura MNOS (M—Si3N4—Si02—Si) 88 // 8.4.3. Struktura MAOS (M—Аl2О3—SiO2—Si) 88 // Literatura 89 // III. POLOVODIČOVÉ DIODY MIS 99 // 9. Povrchový varaktor MIS 99 // 10. Průraz a tunelování v pod povrchoví’ oblasti polovodiče; elektroluminisceníní metoda 100 // 11. Tunelová dioda MIS 103 // Literatura 106 // IV. FYZIKÁLNÍ ZÁKLADY, CHARAKTERISTIKY A PARAMETRY TRANZISTORU MIS 108 // 12. Úvod 108 // 13. Princip činnosti, základní fyzikální déje 110 // 13.1. Uzemněný emitor, kolektor a podložka (Ugs # 0) 111 // 13.2. Uzemněný emitor a podložka, Ugs < 0, Uns <0 112 // 13.3. Vliv napětí podložky, Ubs # 0 114 // 14. Voltampérové charakteristiky tranzistoru MIS 114 // 14.1. Voltampérové charakteristiky zjednodušeného modelu tranzistoru MIS 115 // 14.1.1. Charakteristiky a označení čtyř typů tranzistoru MIS 119 // 14.2. Skutečné voltampérové charakteristiky tranzistoru MIS 121 // 14.2.1. Vliv změn náboje v závislosti na délce kanálu 121 // 14.2.2. Prahové napětí 123 // 14.2.3. Vliv sériových odporů emitoru a kolektoru 127 // 14.2.4. Zpětná vazba kolektor—kanál 128 // 14.2.5. Pohyblivost nosičů proudu v kanále tranzistoru MIS 133 // 14.2.6. Vliv difúzního proudu 137 // 14.2.7. Činnost tranzistoru MIS v předprahovó oblasti 138 // 14.2.8. Průraz v tranzistoru MIS 139 // 15. Náhradní obvody a dynamické parametry 143 // 15.1. Modely ideálního tranzistoru 143 // 15.1.1. Modely pro velké signály 143 // 15.1.2. Modely pro malé nízkofrekvenční signály 146 // 15.1.3. Modely pro malé vysokofrekvenční signály 151 //

15.2. Modely skutečného tranzistoru 153 // 15.2.1. Modely pro velké signály a malé nízkofrekvenční signály 153 // 15.2.2. Modely pro malé vysokofrekvenční signály 156 // 16. Statické parametry 159 // 17. Vliv teploty na parametry tranzistoru MIS 160 // 18. Model pro návrh počítačem (shrnutí kapitoly) 162 // Literatura 167 // 8 V. DRUHY TRANZISTORŮ MIS. KONSTRUKCE A TECHNOLOGIE 173 // 19. Tranzistor MOS s obohacovaným kanálem 173 // 19.1. Tranzistor MOS s obohacovaným kanálem typu P 173 // 19.2. Tranzistor MOS s obohacovaným kanálem typu N 175 // 20. Tranzistor MOS s ochuzovaným kanálem 176 // 21. Doplňkový (komplementární) pár tranzistorů MOS 180 // 22. Tranzistory zhotovené metodou samomaskování 182 // 22.1. Samomaskování hradlem 182 // 22.1.1. Tranzistor s křemíkovým hradlem 182 // 22.1.2. Tranzistor s molybdenovým nebo wolframovým hradlem RMOST 184 // 22.1.3. Implantace iontů v oblastech emitoru a kolektoru 185 // 22.2. Samomaskování pomocí místní oxidace 186 // 22.2.1. Výrobní postup LOCOS 186 // 22.2.2. Metoda tlustých oxidových vrstev (SATO) 187 // 22.2.3. Výrobní postup LOCOS II 187 // 23. Tranzistor zhotovený metodou dvojí difúze D/MOS 189 // 24. Tranzistor MOS na izolační podložce 190 // 25. Jiné druhy tranzistorů. MIS 192 // 25.1. Tranzistor MIS jako paměťový prvek 192 // 25.2. Dvouhradlový tranzistor MOS (tetroda MOS) 195 // 25.3. Tranzistor VMOS 196 // Úvod 203 // Zdroje šumu 203 // Parametry charakterizující šumové vlastnosti aktivní součástky 204 // Nektere otázky technologie tranzistoru MIS . // Ochrana dielektrika hradla před průrazem // Způsoby snížení prahového napětí // Literatura // ŠUMY V TRANZISTORECH MIS // 28. Termický Sum 208 // 29. Šum ,,1/f“ 212 // Literatura 215 // VII. VLIV IONIZAČNÍHO ZÁŘENI NA ČINNOST TRANZISTORŮ MIS 217 //

30. Úvod 217 // 31. Závislost charakteristik tranzistoru MIS na ionizačním záření 218 // 32. Vlastnosti náboje Qt — experimentální zkoumání 219 // 32.1. Druh záření a pohlcená dávka 219 // 32.2. Polarizace struktury během ozařování 220 // 33. Fenomenologické modely vzniku náboje Qt a vzniku povrchových stavů Nst // vlivem ozáření 221 // 34. ZlepSení odolnosti tranzistorů MIS proti ionizačnímu záření 223 // 34.1. Vliv technologie výroby struktury M—SiO2—Si 223 // 35. Odstranění následků záření 225 // Literatura 225 // MĚŘENÍ PARAMETRŮ TRANZISTORŮ MIS A TESTOVÁNÍ ČIPŮ INTEGROVANÝCH OBVODŮ MIS 229 // Úvod 229 // Měření funkěních parametrů tranzistorů MIS // Voltampérové charakteristiky // Statické parametry // Parametry při malých hodnotách signálu // Měření fyzikálních parametrů struktury tranzistoru MIS 232 // činitel ß 232 // Pohyblivost 233 // Délka kanálu 234 // Sériové odpory emitoru a kolektoru 235 // Rozložení koncentrace příměsí 236 // Parametry povrchových stavů 236 // Testování (ipů integrovaných obvodů MIS 237 // Literatura // 238 // TRANZISTOR MIS V ANALOGOVÝCH OBVODECH 240 // Nízkofrekvenční zesilovače 240 // Základní zapojení tranzistoru MIS 240 // Zapojení se společným emitorem 240 // Zapojení se společným kolektorem 244 // Zapojení se společným hradlem 248 // Symetrizační zesilovač (fázový invertor) 250 // Napájení a stabilizace pracovního bodu 251 // Volba pracovního bodu 251 // Napájecí obvody tranzistoru MIS 252 // Tranzistor MIS jako odporová zátěž 254 // Obvod s izolovanými tranzistory, podložka spojená s emitorem 255 // Obvod s tranzistory na společné podložce 258 // Obvod s izolovanými tranzistory o opačném typu kanálu 259 //

Zesilovač s tranzistorem MIS a tranzistorem bipolárním (hybridní, tj. v zapojení SE // Zesilovač s výstupním tranzistorem v zapojení SB // Zesilovač s výstupním tranzistorem v zapojení SC // Nelineární zkreslení // Harmonické složky nelineárních zkreslení // Intermodulační zkreslení // Zkreslení křížovou modulací smíšený par) // Zesilovač s výstupním tranzistorem // 41. Stejnosměrné zesilovače 270 // 41.1. Úvod 270 // 41.2. Kompenzace teplotního driftu 271 // 41.2.1. Zesilovač s nulovým driftem 272 // 41.2.2. Vliv změny pracovního bodu a prahového napětí 274 // 41.2.3. Souměrný zesilovač 275 // 41.2.4. Svodový proud hradla 277 // 41.2.5. Příklady návrhu typických řešení 278 // 42. Vysokofrekvenční zesilovače 280 // 42.1. Kaskódový zesilovač 281 // 42.2. Směšovače 283 // 10 43. Tranzistor MIS jako odpor řízený napitím 285 // 43.1. Úvod 285 // 43.2. Dělič řízený napětím 288 // 43.3. Obvody posouvačů fáze 289 // 43.4. Použití v analogových násobičích a děličích 289 // 44. Tranzistor MIS jako spinai v analogových obvodech 291 // 44.1. Úvod 291 // 44.2. Paralelní střídač 292 // 44.3. Sériový a sériově-paralelní střídač 294 // 44.4. Analogový člen 295 // Literatura 298 // X. MONOLITICKÉ INTEGROVANÉ OBVODY MIS 300 // 45. Úvod 300 // Logické obvody 302 // Statické logické obvody s tranzistory stejného typu vodivosti kanálů 303 // Invertor s oběma tranzistory s obohacovanými kanály typu P 303 // Invertor s tranzistorem s obohacovaným kanálem typu P a následujícím tranzistorem s ochuzovaným kanálem typu P (PEMIS — PDMIS) 313 // Porovnání statických invertorů se zatěžovacími tranzistory MIS 314 // Logické funkční členy 317 // Doplňkové (komplementární) logické obvody //

Invertor složený z doplňkového páru tranzistorů MOS (doplňkový, tj komplementární invertor) // Doplňkové logické funkční členy // Několikafázové dynamické logické obvody // Logické obvody dvoufázové proporcionální // Logické obvody dvoufázové neproporcionální // Logické obvody čtyřfázové // 47. Paměti MIS 333 // Prvky pamětí s libovolným výběrem informace, sestavené z tranzistorů o stejném typu vodivosti // Posuvné registry s tranzistory o stejném typu vodivosti kanálu 339 // Prvky doplňkové (komplementární) paměti 341 // Pevná paměť (ROM) v provedení MIS 343 // Prvky statické paměti // Prvky dynamické paměti // 48. Součástky s nábojovou vazbou 344 // 48.1. Součástky typu BB 345 // 48.2. Součástky typu CC 346 // Literatura 352 // Rejstřík 356

(OCoLC)40080830

cnb000397187