.

0 (hodnocen0 x )

(0.5) Půjčeno:3x 

BK

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1988

290 s.

000080170

Seznam hlavních použitých symbolů a znaků 8 // 1. Úvod (J. Kortán) 16 // 2. Generace záření v polovodičích (J. Mišek) 19 // 2.1. Základní pojmy 19 // 2.1.1. Rozdělovači funkce 22 // 2.1.2. Příměsi v polovodičích 24 // 2.1.3. Struktura energetických pásů, přímé a nepřímé polovodiče 28 // 2.1.4. Přechod PN 29 // 2.1.5. Heteropřeehod 32 // 2.2. Zářivá a nezářivá rekombinace 35 // 2.2.1. Injekce menšinových nosičů 35 // 2.2.2. Doby života nadbytečných nosičů 36 // 2.2.3. Lineární a kvadratická rekombinace 37 // 2.2.4. Typy rekombinačních procesů 41 // 2.2.5. Zářivá rekombinace 42 // 2.2.6. Nezářivá rekombinace 49 // 2.3. Mechanismy vybuzení záření v polovodičích 54 // 2.3.1. Injekce z přechodu PN 55 // 2.3.2. Injekce z heteropřechodu 58 // 2.3.3. Injekce z kontaktu kov—polovodič 59 // 2.3.4. Injekce ve struktuře MIS 60 // 2.3.5. Zářivé tunelování 61 // 2.3.6. Průrazová luminiscence 62 // 2.4. Účinnost emise 64 // 2.4.1. Energetická a kvantová účinnost 64 // 2.4.2. Kvantová účinnost zářivé rekombinace 67 // 2.4.3. Měření účinnosti 72 // Literatura ke druhé kapitole 75 // 3. Nekoherentní elektroluminiscenční diody (ELD) 78 // 3.1. Princip činnosti a mechanismy elektrooptické přeměny v ELD (L. Kučera) 78 // 3.2. Metoda analýzy a obecné analytické vztahy pro emitovaný fotonový tok některých struktur ELD (L. Kučera) 82 // 3.3. Linearizované dynamické rovnice pro výpočet generační rychlosti // fotonů. Okrajové podmínky pro některé typy ELD (L. Kučera) 87 // 3.4. Stejnosměrná teorie vyzařování ELD (L. Kučera) 90 // 3.4.1. Generační funkce pro ELD s přechodem PN a s dvojitým heteropřechodem 90 // 3.4.2. Vztahy pro integrální emitovaný fotonový tok 92 // 3.4.3. Vnější kvantová účinnost 94 // 3.4.4. Generační a emisní spektrum 99 //

3.4.5. Vyzařovací diagram 101 // 3.5. Emise diody při buzení střídavým signálem (L. Kučera) 104 // 3.5.1. Amplituda a fáze generační funkce při buzení harmonickým signálem 104 // 3.5.2. Vztahy pro amplitudovou a fázovou modulační charakteristiku při // zanedbatelném setrvačném vlivu absorpce 106 // 5 3.5.3. Komplexní přenosová charakteristika ELD. Praktické vztahy pro odezvu ELD 107 // 3.5.4. Fyzikální a obvodové faktory zavádějící setrvačnost přímo buzené ELD. // Relativní vliv vstupní impedance na odezvu při napěťovém a proudovém buzení 109 // 3.0. Parazitní jevy při střídavém buzení (L. Kučera) 110 // 3.6.1. Jevy zaváděné setrvačným vlivem absorpce: Závislost odezvy na vlnové // délce a směru emise 110 // 3.6.2. Fázové zkreslení signálu 112 // 3.6.3. Anomální tvar amplitudové přenosové charakteristiky 113 // 3.7. Diody k zobrazování informace (J. Kortán) 113 // 3.7.1. Psychofyzikální aspekty vnímání světla a základy fotometrie 114 // 3.7.2. Polovodičové materiály pro světelné emisní diody 119 // 3.7.3. Technologické otázky přípravy materiálů pro ELD 131 // 3.7.4. Technologie a konstrukce ELD a zobrazovacích prvků 135 // 3.7.5. Napájecí obvody indikačních ELD a zobrazovacích prvků 147 // 3.8. Diody pro optické sdělování a optoelektronické zpracování informace // (J. Kortán) 149 // 3.8.1. Materiály pro ELD emitující v blízké infračervené oblasti spektra 149 // 3.8.2. Diody pro optické zpracování informace 152 // 3.8.3. Diody pro optické sdělování 154 // Literatura ke třetí kapitole 165 // 4. Injekční polovodičové lasery (J. Mišek) 173 // 4.1. Princip činnosti 173 // 4.1.1. Absorpce, spontánní a stimulovaná emise 173 // 4.1.2. Zesílení záření stimulovanou emisí 175 // 4.1.3. Optické rezonátory 177 //

4.1.4. Fenomenologický popis fimkce polovodičových laserů 180 // 4.1.5. Historie vývoje polovodičových laserů 183 // 4.2. Fyzikální základy teorie polovodičových laserů 187 // 4.2.1. Stimulovaná emise v polovodičích 187 // 4.2.2. Optický zisk v polovodičích 188 // 4.2.3. Výpočet prahového proudu 190 // 4.2.4. Vidová struktura elektromagnetického pole v polovodičovém laseru 194 // 4.2.5. Vyzařovací charakteristika polovodičového laseru 205 // 4.3. Výstupní parametry laserové diody 207 // 4.3.1. Rovnice kontinuity 207 // 4.3.2. Tepelné vlastnosti polovodičových laserů 212 // 4.3.3. Impedance polovodičového laseru 214 // 4.4. Technologie přípravy laserových struktur, používané materiály 217 // 4.4.1. Epitaxní růst z kapalné fáze 217 // 4.4.2. Epitaxní růst z plynné fáze 219 // 4.4.3. Epitaxní růst z molekulárních svazků 220 // 4.4.4. Materiály používané k přípravě struktur polovodičových laserů 220 // 4.5. Typy polovodičových laserů 222 // 4.5.1. Heterostrukturní lasery 222 // 4.5.2. Lasery s postranním omezením 223 // 4.5.3. Lasery s rozprostřenou zpětnou vazbou 227 // 4.6. Lasery s optickým a elektronovým buzením 230 // 4.6.1. Polovodičové lasery s optickým buzením 230 // 4.6.2. Buzení elektronovým svazkem 231 // 4.7. Dynamické procesy v polovodičových laserech 233 // 4.7.1. Proces zapnutí laseru 233 // 4.7.2. Automodulace polovodičového laseru 236 // 4.7.3. Synchronizace podélných vidů 238 // 4.7.4. Modulace injekčních polovodičových laserů 240 // 6 ю ю // 4.8. Životnost polovodičových zdrojů optického záření 244 // 4.8.1. Zjišťování životnosti metodou zrychlené degradace 245 // 4.8.2. Degradace nekoherentních elektroluminiscenčních diod 248 // 4.8.3. Degradace polovodičových laserů 251 //

4.9. Aplikace injekčních polovodičových laserů 253 // 4.9.1. Napájení laserových diod 254 // 4.9.2. Polovodičové lasery v optických sdělovacích systémech 258 // 4.9.3. Polovodičové lasery v měřicí a výpočetní technice 260 // 4.9.4. Použití polovodičových laserů ke kontrole čistoty ovzduší 264 // Literatura ke čtvrté kapitole 265 // 5. Základy teorie demodulace optického signálu v polovodičových detektorech (L. Kučera) 272 // 5.1. Fyzikální principy optické detekce a užívané typy rychlých polovodičových detektorů 272 // 5.2. Pojem přijímač optického signálu a základní metody optické demodulace 274 // 5.3. Základní výstupní parametry fotodetektoru. Vztahy pro výstupní // proud parametrických a nelineárních detektorů 275 // .4. Spektrální citlivost 279 // .5. Faktory omezující kmitočtovou odezvu polovodičových optických // demodulátorů 280 // 5.6. Výstupní poměr signálu k šumu při přímé demodulaci 281 // 5.6.1. Zdroje šumu 281 // 5.6.2. Výstupní poměr signálu k šumu demodulátoru s fotorezistorem 283 // 5.6.3. Výstupní poměr signálu k šumu demodulátoru s fotodiodou 284 // 5.6.4. Výstupní poměr signálu k šumu lavinové diody 284 // 5.7. Přímá fotoparametrická demodulace 285 // 5.8. Heterodynní (koherentní) demodulace. Pojem ideální kvantový přijímač 286 // Literatura k páté kapitole 288 // Rejstřík 289

(OCoLC)39407251

cnb000044077