.

0 (hodnocen0 x )

(1) Půjčeno:1x 

BK

Praha : Academia, 1989

181 s. : il. ; 24 cm

ISBN 80-200-0183-2

Studie ČSAV ; 19/1989

000106752

1 Úvod // 1.1 Tenké vrstvy nitridu titanu 12 // 2 Metody vvtváření tenkých vrstev nitridu titanu 15 // 2.1 Chemická depozice vrstev - metoda CVI) 15 // 2.2 Fyzikální depozice vrstev - metody PVD 16 // 2 2.1 Metody vytváření TiN vrstev na principu odpařování Ti 18 // 2.2 .1.1 Odpařování elektronovým svazkem 19 // 2.2 . 1.2 Obloukové odpařování 20 // 2.2 .2 Metody vytváření TiN vrstev na principu rozprašování Ti // 2.3 Fyzikálně chemická depozice vrstev - metoda PACVD // 2.4 Hlavní problémy existujících zařízení pro vytváření // otěruvzdorných vrstev TiN // Literatura // 3 Reaktivní magnetronová depozice tenkých vrstev nitridu titanu TiN 26 // 3.1 Základní faktory rozhodující o tvorbě TiN vrstev 27 // 3.1.1 Pokrývání terče magnetronu reakčním produktem a efekt hystereze 28 // 3.1.2 Způsoby umožňující zvýšení rychlosti depozice vrstev při reaktivním naprašování 32 // 3.1.2.1 Způsoby umožňující snížit pokrývání terče magnetronu // reakčním produktem 34 // 3.2 Vliv čerpací rychlosti na efekt hystereze při reaktivním naprašování // tenkých vrstev 3 7 // 3.2.1 Kritická čerpací rychlost 39 // 3.2.2 Experimentální prověření teoretického rozboru 40 // 3.2.2.1 Závislost ?Ar - f(N2) 41 // 3. 2.2. 2 Závislost ?, - f(N2) a PN2 = f($N2) 43 // 3.2.2.3 Vlastnosti experimentálních závislostí PAr = f (d N2) 46 // 3.2.2.4 Závislost kritické čerpací rychlosti na parametrech depozičního procesu 47 // 3.2. 2.5 Závislost mikrotvrdost i HV a depoziční rychlosti ap tenkých vrstev TiN na průtoku dg, 49 // " x N2 // 3.2 .2.6 Úloha pr a SN2 v procesu reaktivní depozice vrstev 51 // 3.2.2 7 Stručné shrnutí hlavních výsledků 51 // 3.3 Provozní charakteristiky kruhového planárního magnetronu ve směsi Ar + N2 // Literatura // Mikrostruktura tenkých vrstev 58 //

Modely mikrostruktury tenkých vrstev 59 // Model založený na pohyblivosti indukované teplotou Ts 59 // Model založený na pohyblivosti indukované teplotou Ts a zahrnující efekt tlaku inertního plynu p 61 // Model založený na pohyblivosti indukované teplotou Ts a zahrnující efekty tlaku inertního plynu p a předpětí Us 62 // Model popisující skokové změny mikrostruktury vrstev vytvořených za podmínek nízké pohyblivosti adsorbovaných atomů 64 // Model založený na pohyblivosti hranic jednotlivých zrn 66 // Shrnutí současného stavu poznání o mikrostruktuře tenkých vrstev 69 // Přechodová zóna T 70 // Faktory ovlivňující mikrostrukturu vrstev 71 // Hranice mezi zónou I a zónou T 73 // Literatura // Vlastnosti TiN vrstev připravených reaktivní magnetronovou depozicí //Depoziční rychlost // Mikrotvrdost tenkých TiN vrstev / Závislost mikrotvrdosti TiN vrstev na tlouštce vrstvy // Závislost mikrotvrdosti TiN vrstev na průtoku dusíku // Kritický průtok dusíku // Závislost mikrotvrdosti TiN vrstev na geometrii terče magnetronu // Závislost mikrotvrdosti TiN vrstev na výkonu magnetronu p // Závislost maximální mikrotvrdosti HV TiN vrstev na teplotě T max x s a předpětí Us substrátu // Specifický odpor TiN vrstev // Otěruvzdornost tenkých TiN vrstev // Adheze tenkých vrstev // Rozdílné moduly pružnosti substrátu a vrstvy // Rozdílné koeficienty teplotní // Růstové makropnutí generované // Tlakové a tahové makropnutí v // Měření adheze tenkých vrstev // roztažnosti substrátu a vrstvy // v naprašovaných vrstvách // naprašovaných vrstvách // Fázové složení a struktura TiN., vrstev // Fáze &-Ti2N i // Změna polohy reflexí při změně at % N ve vrstvě 113 // Typické rtg difrakční diagramy TiN vrstev //

5.6.4 Korelace mezi mikrotvrdosti, makropnutím a mikropnutím, fázovým složením, stechiometrií a texturou TiN vrstev 116 // 5.6.5 Vliv tlouštky vrstvy na vlastnosti TiN vrstev 119 // 5.6.6 Řízení textury při vytváření TiN vrstev 120 // / 5.7 Srovnání TiN a (Ti, AI, V)N vrstev 123 // Literatura 124 // 6 Depozice tenkých vrstev nitridu titanu obloukovým odpařováním Ti za sníženého tlaku 127 // 6.1 Obloukový výboj za sníženého tlaku 127 // 6.1.1 Katodová skvrna oblouku 129 // 6.1.2 Emise částic z katody obloukového výboje 132 // 6.1.2.1 Rychlost odpařování v katodové skvrně 133 // 6.1.2.2 Prostorové rozložení odpařovaných částic 136 // 6.1.2.3 Energetické rozdělení odpařovaných částic 141 // 6.1.2.4 Metody separace makročástic 144 // 6.1.3 Iniciování elektrického oblouku 146 // 6.2 Využití obloukového výboje pro depozici vrstev 148 // 6.2.1 Depozice vrstev obloukovým odpařováním 148 // 6.2.1.1 Depozice vrstev pulsním obloukovým odpařováním 148 // 6.2.1.2 Depozice vrstev stacionárním obloukovým odpařováním 149 // 6.2. 1.3 Technologický depoziční proces 150 // 6.2.2 Konstrukce obloukových odpařovačů 151 // 6.3 Depozice tenkých vrstev nitridu titanu obloukovým odpařováním v technologickém zařízení 153 // 6.3.1 Zařízení DA 500-01 153 // 6.3.2 Parametry obloukového výboje 155 //

6.3.2.1 Elektrické parametry výboje 155 // 6.3.2.2 Energetická bilance na katodě obloukového výboje 156 // 6.3.2.3 Vztah mezi tlakem, průtokem a složením pracovního plynu // při obloukovém odpařování 158 // 6.3.3 Procesy na substrátu 162 // 6.3.3.1 Depoziční rychlost 162 // 6.3.3.2 Iontový proud na substrát 163 // 6.3.3.3 Energetická bilance na substrátu a stacionární depoziční teplota 166 // Literatura 169 // 7 Plazmatem aktivovaná chemická depozice (PACVD) tenkých vrstev nitridu titanu 171 // 7.1 Možnosti snížení depoziční teploty v metodách pracujících // na principu chemické depozice vrstev 172 // 7.2 Princip metody PACVD a její realizace .173 // 7.3 Typické parametry zařízení použitých pro PACVD // tenkých vrstev nitridu titanu 175 // 7.4 Typické vlastnosti TiN vrstev vytvořených metodou PACVD 177 // 7.5 Fyzikální srovnání PVD a CVD metod depozice tenkých TiN vrstev 179 // Literatura 181

(OCoLC)23051365

cnb000053329