.

0 (hodnocen0 x )

BK

Bratislava : Alfa, 1989

ISBN 80-05-00120-7

000026640

Rekat.

Seznam použitých značek a symbolů 11 // Důležité fyzikální konstanty a jednotky 22 // Úvod 25 // 1 Obvodové modely a pracovní podmínky základních elektrických prvků 31 // 1.1 Obvodové prvky a veličiny 31 // 1.2 Jednobranové prvky 32 // 1.3 Dvojbranové prvky 35 // 1.4 Stanovení klidového pracovního bodu 38 // 1.5 Základy spolehlivosti prvků 42 // 1.5.1 Kvantitativní ukazatele spolehlivosti 43 // 1.5.2 Výpočet charakteristik spolehlivosti soustav 46 // 1.5.3 Způsoby zajištění spolehlivosti zařízení 49 // 2 Přehled základů fyziky polovodičů , 53 // 2.1 Chemická vazba a vodivost pevných látek 53 // 2.2 Kritéria polovodivých látek 56 // 2.3 Struktura pevných látek 58 // 2.4 Kvantová teorie pevných látek 60 // 2.4.1 Volný elektron 62 // 2.4.2 Sommerfeldův model pevné látky 64 // 2.4.3 Elektron v periodickém potenciálním poli 66 // 2.4.4 Vlastnosti vlnového vektoru elektronu v krystalu, efektivní hmotnost . 70 // 2.4.5 Hustota kvantových stavů 75 // 2.4.6 Struktura pásů dovolených hodnot energie 76 // 2.5 Vliv vnějších sil na pásovou strukturu 79 // 2.5.1 Vliv teploty 79 // 2.5.2 Vliv tlaku 81 // 2.5.3 Vliv silného elektrického pole 82 // 2.5.4 Vliv magnetického pole 83 // 2.6 Poruchy krystalové mřížky 86 // 2.6.1 Kmity krystalové mřížky 87 // 2.6.2 Bodové poruchy 91 // 2.6.3 Dislokace 95 // 2.7 Statistika elektronů a děr v polovodičích 97 // 2.7.1 Základní představy o polovodičích 100 // 2.7.2 Vlastní polovodič 102 // 2.7.3 Nevlastní polovodiče 105 // 2.7.4 Vliv silné dotace na strukturu energetických pásů polovodiče 107 // 2.7.5 Generace a rekombinace nosičů náboje 109 // 3 Objemové jevy v polovodičích 112 // 3.1 Rozptylové mechanismy 114 // 3.2 Elektrická vodivost polovodičů 118 // 3.3 Vodivostní a difúzni proudová hustota 122 // 3.4 Vliv magnetického pole 124 //

3.5 Termoelektrické jevy 126 // 3.6 Vliv vnějšího elektrického pole na vodivost polovodičů 132 // 3.6.1 Vliv elektrického pole na pohyblivost nosičů náboje 133 // 3.6.2 Gunnůvjev 134 // 3.6.3 Vliv elektrického pole na koncentraci volných nosičů náboje 138 // 4 Kontaktní jevy v polovodičích 142 // 4.1 Kontakt kov-polovodič 142 // 4.2 Přechod PN při termodynamické rovnováze 148 // 4.3 Přechod PN s předpětím, injekce a extrakce nosičů náboje 155 // 4.4 Voltampérová charakteristika přechodu PN 159 // 4.5 Kapacita přechodu PN 162 // 4.6 Chování přechodu PN při malém signálu 165 // 4.7 Dynamické děje při přepolarizaci přechodu PN 167 // 4.8 Přechod N+N (P+P) 169 // 4.9 Degenerovaný přechod PN 173 // 4.10 Technologie přechodu PN 175 // 5 Elektronické součástky s polovodičovým přechodem 181 // 5.1 Diody 181 // 5.1.1 Hrotová dioda 181 // 5.1.2 Plošná dioda 183 // 5.1.3 Schottkyho dioda 186 // 5.1.4 Zenerova dioda 188 // 5.1.5 Kapacitní diody 190 // 5.1.6 Tunelová dioda 192 // 5.1.7 Dioda s dvojitou bází 194 // 5.1.8 Mikrovlnné diody 197 // 5.1.9 Vlastnosti a použitie hrotových diód 200 // 5.1.10 Vlastnosti a použitie plošných spínacích diód 200 // 5.1.11 Vlastnosti a použitie usměrňovačích diód 205 // Obsah // 7 // 5.1.12 Chladenie diód 206 // 5.1.13 Príklady použitia výkonových diód 213 // 5.1.14 Vplyv vyhladzovacieho filtra na činnosť diód 214 // 5.1.15 Usmerňovač s indukčnou cievkou na vstupe filtra 218 // 5.2 Bipolární tranzistor 226 // 5.2.1 Princip činnosti tranzistoru 227 // 5.2.2 Kvantitativní analýza 229 // 5.2.3 Charakteristické parametry tranzistoru 234 // 5.2.4 Konstrukce charakteristik tranzistoru 236 // 5.2.5 Typy tranzistorů a jejich konstrukce 240 // 5.2.6 Vlastnosti a použitie bipolárnych tranzistorov 243 // 5.2.7 Základné spôsoby zapojenia tranzistorov 246 //

5.2.8 Grafické riešenie tranzistorového stupňa 248 // 5.2.9 Použitie dvojbránových parametrov 251 // 5.2.10 Dynamické vlastnosti tranzistora 255 // 5.2.11 Spínacie vlastnosti tranzistorov 261 // 5.3 Vícepřechodové spínací součástky 267 // 5.3.1 Tyristor 268 // 5.3.2 Speciální druhy tyristorů 272 // 5.3.3 Spínací vícevrstvé diody 273 // 5.3.4 Triak 274 // 5.3.5 Prevádzkové vlastnosti spínacích prvkov 276 // 5.3.6 Charakteristické vlastnosti tyristorov 278 // 5.3.7 Impulzové budenie tyristorov 283 // 5.3.8 Dynamické vlastnosti tyristorov 283 // 5.3.9 Typy tyristorov 289 // 5.3.10 Perspektívne druhy tyristorov 291 // 5.4 Unipolární tranzistor s přechodem PN 292 // 5.4.1 Princip činnosti 293 // 5.4.2 Základní vlastnosti a parametry 298 // 5.4.3 Konstrukce unipolámích tranzistorů s přechodem PN 300 // 6 Povrchové jevy v polovodičích 303 // 6.1 Povrchové stavy 303 // 6.2 Ideální struktura MIS 305 // 6.3 Tranzistory řízené elektrickým polem s izolovaným hradlem 308 // 6.3.1 Princip činnosti tranzistorů MIS 308 // 6.3.2 Princip činnosti tranzistoru MOS s vodivým kanálem 312 // 6.3.3 Základní vlastnosti 312 // 6.3.4 Unipolámí tranzistor jako impedanční dvojbran 315 // 6.3.5 Běžné technologické úpravy tranzistoru MOSFET 315 // 6.4 Tenkovrstvý tranzistor (TFT - Thin Film Transistor) 318 // 6.5 Způsoby zapojení unipolárních tranzistorů a jejich aplikace 319 // 6.6 Použitie unipolárnych tranzistorov 321 // 6.6.1 Výkonová štruktúra VMOS 323 // 7 Fotoelektrické jevy v polovodičích , 324 // 7.1 Základní představy o optickém záření 324 // 7.2 Absorpce záření látkou 327 // 7.3 Vnitřní fotoelektrický jev 332 // 7.4 Fotovoltaický jev 334 // 7.5 Generace záření v polovodičových materiálech 336 // 7.6 Dvouúrovňový model látky 339 //

7.7 Generace světla přechodem PN 341 // 8 Základy optoelektroniky 346 // 8.1 Typy detektorů a jejich vlastnosti 346 // 8.2 Fotorezistory 349 // 8.3 Fotonky 352 // 8.4 Fotodiody 354 // 8.5 Fototranzistory a fototyristory 359 // 8.6 Materiály pro zdroje záření 360 // 8.7 Konstrukce elektroluminiscenčních diod 364 // 8.8 Polovodičové lasery 367 // 9 Základy mikroelektroniky 372 // 9.1 Vlastnosti a příprava základních materiálů a pracovních postupů 372 // 9.1.1 Výroba monokrystalů 374 // 9.1.2 Mechanické opracování 375 // 9.1.3 Epitaxe 376 // 9.1.4 Litografické techniky 378 // 9.1.5 Difúze 381 // 9.1.6 Iontová implantace 384 // 9.1.7 Kontaktování 386 // 9.1.8 Pouzdření 387 // 9.1.9 Chlazení 388 // 9.2 Morfologie bipolárních integrovaných součástek 390 // 9.2.1 Izolační ostrovy 390 // 9.2.2 Bipolámí integrovaný planámě-epitaxní vertikální tranzistor 391 // 9.2.3 Substrátový tranzistor 394 // 9.2.4 Laterální tranzistor 396 // 9.2.5 Diody 397 // 9.2.6 Difúzni rezistor 398 // 9.2.7 Kapacitory 401 // 9.3 Unipolární součástky 402 // 9.3.1 Unipolární tranzistor MIS 402 // 9.3.2 Unipolární rezistor MIS 404 // 9.3.3 Unipolární rezistor JFET 405 // 9.3.4 Technika COSMOS 405 // 9.4 Izoplanárni technologie 407 // 9.5 Technologie CDI 408 // 9.6 Technologie MTL (1:L, IIL) 409 // 9.7 Technologie SOS 411 // 9.8 Tlustovrstvé obvody 412 // 10 Lineárne pasívne prvky 416 // 10.1 Pasívne prvky a ich rozdelenie 416 // 10.1.1 Rezistory. potenciometre, odporové trimre 417 // 10.1.2 Kondenzátory 422 // 10.1.3 Cievky a transformátory 426 // 11 Elektronky a výbojky 432 // 11.1 Vákuové diódy 432 // 11.2 Vákuové triody 434 // 11.3 Obrazovky 437 // 11.4 Svetelné výbojky 439 // 12 Monolitické integrované obvody 441 // 12.1 Integrované obvody so spojitou činnosťou 442 //

12.1.1 Jednosmerné integrované zosilňovače 442 // 12.1.2 Integrované stabilizátory napätia 444 // 12.2 Integrované obvody s nespojitou činnosťou 445 // 12.2.1 Logické obvody TTL (Transistor-Transistor-Logic) 445 // 12.2.2 Logické obvody DTL (Diode-Transistor-Logic) 450 // 12.2.3 Kombinačné obvody MSI (Medium-Scale-Integration) 451 // 12.2.4 Integrované sekvenčné bipolárne obvody 453 // 12.2.5 Bipolárne pamäti 461 // 12.3 Integrované obvody MOS 463 // 12.3.1 Obvody PMOS a NMOS pamätí RAM 465 // 12.3.2 Dynamické bunky MOS 468 // 12.3.3 Pamäťové bunky CMOS 471 // 12.3.4 Dynamické posuvné registre MOS 472 // 12.4 Permanentné pamäti 477 // 13 Špeciálne prvky 482 // 13.1 Varistory 482 // 13.2 Zobrazovacie prvky 483 // 13.3 Kvapalné kryštály 485 // 13.3.1 Účinok elektrického poľa na kvapalný kryštál 485 // 13.3.2 Zobrazovacia bunka s kvapalným kryštálom 486 // 13.3.3 Zobrazovacie jednotky 487 // Literatúra 488