.

0 (hodnocen0 x )

(1) Půjčeno:1x 

BK

1. vyd.

Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1976

487 s. : il.

Řada elektrotechnické literatury

Teoretická knižnice inženýra

Obsahuje bibliografie a věcný rejstřík

Ucelený přehled o současném stavu techniky polovodičů. Uvádí přehled základů fyziky polovodičů, transportní, galvanomagnetické, termomagnetické a tepelné jevy v polovodičích a popisuje fotoelektrické a povrchové vlastnosti polovodičů. Zabývá se technologií přípravy polovodičových materiálů a součástek, polovodičovými součástkami bez aktivního přechodu PN, s jedním, se dvěma a více přechody. Věnuje také pozornost tranzistorům řízeným elektrickýms přechodovým hradlem, součástkám v integrovaných obvodech aj.

000133961

OBSAH // PŘEDMLUVA ...5 // SEZNAM HLAVNÍCH POUŽITÝCH ZNAKŮ A SYMBOLŮ ...13 // ÚVOD ...23 // 1. PŘEHLED ZÁKLADŮ FYZIKY POLOVODIČŮ ...27 // 1.1. STRUKTURA PEVNÝCH LÁTEK ...27 // Kritéria polo vodivých látek ...29 // Polovodivé sloučeniny ...31 // 1.2. KVANTOVĚ MECHANICKÁ TEORIE PEVNÝCH LÁTEK ...34 // Model volných elektronů ...35 // a) Úplné volné elektrony ...35 // b) Elektron v poli konstantního potenciálu ...36 // c) Elektron v poli periodicky proměnného potenciálu ...38 // Pohyb elektronů ...43 // Rozdíl mezi kovem, izolantem a polovodičem ...44 // Díry ...46 // 1.3. PÁSOVÝ MODEL POLOVODIČŮ ...47 // Krystalová struktura ...47 // Kulově souměrné energetické plochy . ...50 // Extrémy na hranicích zóny ...52 // Obecný elipsoid uprostřed Brillouinovy zóny ...52 // Pásová struktura reálných krystalů ...53 // Cyklotronová rezonance ...55 // Vliv vnějších sil na pásovou strukturu ...56 // a) Vliv hydrostatického tlaku ...57 // b) Vliv teploty ...57 // c) Vliv elektrického pole ...58 // d) Vliv magnetického pole ...58 // Hustota stavů v dovolených pásech ...59 // 1.4. PORUCHY V MŘÍŽCE KRYSTALU ...60 // Kmity mřížky ...61 // Příměsové poruchy ...62 // Excitony ...67 // Dislokace ...67 // ELEKTRONY A DÍRY V TERMODYNAMICKÉ ROVNOVÁZE // Rozdělovači funkce Fermiho-Diraca // Vlastní polovodič // Příměsový polovodič // a) Plná ionizace příměsí // b) Neúplná ionizace příměsí // c) Obecný případ // d) Kompenzovaný polovodič při nízkých teplotách // e) Guldbergův-Waageúv zákon // TRANSPORTNÍ JEVY V POLOVODIČÍCH // ROZPTYL NOSIČŮ PROUDU // OHMŮV ZÁKON // Tenzor vodivosti // HALLŮV JEV // BOLTZMANNOVA TRANSPORTNÍ ROVNICE // Výpočet elektrické vodivosti // Závislost relaxační doby na energii // Rozptylový činitel Hallovy konstanty //

ROZPTYLOVÉ MECHANISMY // Mřížkový rozptyl // Rozptyl na ionizovaných příměsích // Teplotní závislost pohyblivosti // MAGNETOREZISTENČNÍ JEV // POHYB NOSIČŮ PROUDU V HOMOGENNÍM POLOVODIČI // Pásový model s elektrickým polem // NEROVNOVÁŽNÉ STAVY KONCENTRACE NOSIČŮ PROUDU // Návrat ? termodynamické rovnováze // Rovnice kontinuity // Ambipolární pohyblivost // Pohyb injektované skupiny minoritních nosičů // Metoda Shockleye a Haynesa // Difúzní délka minoritních nosičů // Injekce majoritních nosičů, Poissonova rovnice // Kinetika rekombinačních dějů // Vliv pastí na rekombinaci // // Povrchová rekombinace // VEDENÍ PROUDU V POLOVODIČÍCH PÉI VELMI NÍZKÝCH TEPLOTÁCH // Elektrická vodivost přeskokovým mechanismem // Elektrická vodivost v příměsovém pásu // Ionizace příměsí elektrickým polem // VLIV VNĚJŠÍCH POLÍ NA ELEKTRICKOU VODIVOST POLOVODIČŮ. . // Vliv elektrického pole na pohyblivost nosičů // Vliv elektrického pole na koncentraci volných nosičů proudu // 3. FOTOELEKTRICKÉ VLASTNOSTI POLOVODIČŮ ...139 // 3.1. ABSORPCE ...140 // Dovolené přímé přestupy ...140 // Nepřímé přestupy ...141 // Přestupy mezi výběžky pásů ...143 // Excitonová absorpce ...144 // 3.2. VNITŘNÍ FOTOELEKTRICKÝ JEV ...145 // Fotoelektrická vodivost ...145 // Demberův jev ...147 // Fotomagnetoelektrický jev ...147 // Fotomechanický jev ...148 // 3.3. MECHANISMUS FOTOELEKTRICKÉ VODIVOSTI ...149 // Kvantový výtěžek ...150 // Mastní fotoelektrická vodivost ...151 // Vliv příměsí na fotoelektrickou vodivost . . ...153 // Ideální detektor infračerveného záření ...154 // Fotoelektrická ionizace příměsí ...155 // Absorpce volnými elektrony ...155 // 3.4. VNITŘNÍ FOTOELEKTRICKÝ JEV V NEHOMOGENNÍCH POLOVODIČÍCH 157 // 3.5. ELEKTROLUMINISCENCE ...158 //

4. GALVANOMAGNETICKÉ, TERMOMAGNETICKÉ A TEPELNÉ // JEVY V POLOVODIČÍCH ...160 // 4.1. GALVANOMAGNETICKÉ JEVY ...161 // Příčně izotermální galvanomagnetické jevy ...161 // Příčně adiabatické galvanomagnetické jevy ...162 // 4.2. TERMOMAGNETICKÉ JEVY ...163 // Příčně izotermální jevy ...163 // Příčně adiabatické jevy ...163 // 4.3. TEPELNÁ VODIVOST ...165 // 4.4. TERMOELEKTRICKÝ JEV SEEBECKÚV ...166 // 4.5. PELTIERŮV JEV ...168 // 4.6. TERMOMAGNETICKÉ JEVY ...170 // Ettingshausenův jev ...170 // Nemstův jev ...171 // Righiův-Leducův jev ...171 // 5. PŘECHOD PN ...173 // 5.1. SLABÉ NEHOMOGENNÍ POLOVODIČ ...173 // 5.2. STRMÝ PŘECHOD PN ...175 // Difúzni napětí ...176 // Ideální voltampérová charakteristika ...177 // Injekční účinnost ...180 // Zdánlivé Fermiho hladiny ...182 // Rozložení elektrického pole a potenciálu u strmého přechodu ...183 // Kapacita strmého přechodu PN ...185 // 5.3. POZVOLNÝ PŘECHOD ...186 // 5.4. REÁLNÁ VOLTAMPÉROVÁ CHARAKTERISTIKA ...188 // Vliv generace a rekombinace ...188 // 8 // Vliv velké injekce ...190 // Difúzni kapacita ...191 // 5.5. PRŮRAZ PŘECHODU PN ...192 // Tepelný průraz ...193 // Zenerův průraz ...194 // Lavinový průraz ...194 // 5.6. SPÍNACÍ VLASTNOSTI PŘECHODU ...187 // 5.7. PŘECHOD PP+ A NN+ ...198 // Pohyb většinových nosičů do oblasti N+ . . ...199 // Pohyb většinových nosičů do oblasti N ...199 // Difúzni proud přechodem NN+ ...200 // 5.8. HETEROGENNÍ PŘECHODY ...200 // 5.9. BARIÉRY V POLYKRYSTALICKÝCH POLOVODIČÍCH ...203 // 6. KONTAKT KOV-POLOVODIČ ...207 // 6.1. IDEÁLNÍ SCHOTTKYHO KONTAKT ...207 // 6.2. REÁLNÝ SCHOTTKYHO KONTAKT ...209 // 6.3. VOLTAMPÉROVÁ CHARAKTERISTIKA SCHOTTKYHO KONTAKTU . . 212 // 6.4. TUNELOVÝ JEV NA SCHOTTKYHO KONTAKTU ...214 // 6.5. REALIZACE OHMICKÝCH KONTAKTŮ ...217 //

6.6. VSTŘIKOVÁNÍ MENŠINOVÝCH NOSIČŮ ...220 // 7. POVRCHOVÉ VLASTNOSTI POLOVODIČŮ // 7.1. POTENCIÁL, NÁBOJ A ELEKTRICKÉ POLE NA POVRCHU POLOVODIČE 224 // 7.2. IDEÁLNÍ STRUKTURA MIS ...224 // 7.3. REÁLNÁ STRUKTURA MIS ...226 // 7.4. URČENÍ HUSTOTY POVRCHOVÝCH STAVŮ ...231 // 7.5. STABILIZACE POVRCHU ...233 // 7.6. VODIVOST TENKÝCH VRSTEV POLOVODIČŮ ...235 // 7.7. VODIVOST TENKÝCH IZOLAČNÍCH VRSTEV ...238 // 8. ZÁKLADNÍ TECHNOLOGIE PŘÍPRAVY POLOVODIČOVÝCH 240 // MATERIÁLŮ A SOUČÁSTEK ...244 // 8.1. ZÍSKÁNÍ ČISTÉHO VÝCHOZÍHO MATERIÁLU ...244 // 8.2. PŘÍPRAVA MONOKRYSTALŮ ...246 // 8.3. ÚPRAVA POVRCHU ...248 // 8.4. TVOŘENÍ PŘECHODŮ PN ...248 // 8.5. VÝROBA POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK ...251 // 8.6. INTEGROVANÉ OBVODY ...252 // 9. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY BEZ AKTIVNÍHO PŘECHODU PN 255 // 9.1. TERMISTORY ...255 // 9.2. FOTOELEKTRICKÉ ODPORY A FOTOMAGNETOELEKTRICKÉ DETEKTORY 260 // Fotoelektrické odpory ...260 // Fotomagnetoelektrické detektory ...266 // 9.3. HALLOVY SOUČÁSTKY ...267 // 9.4. MAGNETOREZISTORY ...270 // 9 // 9.5. SOUČÁSTKY SE ZÁPORNÝM DIFERENCIÁLNÍM ODPOREM // Kryosary // Gunnovy diody // 9.6. ELEKTROLUMINISCENČNÍ PRVKY A LASERY // Elektroluminiscenční prvky // Lasery // 9.7. VARISTORY // 9.8. TENZOELEKTRICKÉ POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY // 10. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY S JEDNÍM PŘECHODEM PN . . // 10.1. HROTOVÉ A PLOŠNÉ DIODY ...284 // Hrotové diody ...284 // Demodulační a směšovací diody pro centimetrové vlny ...288 // Diody s privareným hrotem ...29l // Difúzni diody vysokofrekvenční a pro spínací účely ...293 // Výkonové usměrňovači diody ...294 // a) Germaniové výkonové diody ...295 // b) Křemíkové výkonové usměrňovači diody ...296 // c) Výkonové usměrňovači diody z jiných polovodičových materiálů ....298 //

d) Charakteristické parametry a použití výkonových diod ...299 // Poly krystalické polovodičové usměrňovače ...301 // 10.2. STABILIZAČNÍ DIODY ...304 // 10.3. TUNELOVÉ A INVERZNÍ DIODY ...307 // 10.4. VARIKAPY A VARAKTORY ...313 // 10.5. PRŮLETOVÉ DIODY ...318 // 10.6. FOTODIODY A SLUNEČNÍ FOTOELEKTRICKÉ ČLÁNKY ...324 // 10.7. LUMINISCENČNÍ A LASEROVÉ DIODY ...330 // 10.8. TERMOELEKTRICKÉ A PELTIEROVY ČLÁNKY ...334 // Termoelektrické články a generátory ...334 // Peltierovy články ...335 // 10.9. DVOUBÁZOVÉ DIODY — TRANZISTORY S JEDNÍM PŘECHODEM . . 337 // 11. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY SE DVĚMA PŘECHODY PN . . 343 // PRINCIP ČINNOSTI BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU // BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR PŘI PROVOZU STEJNOSMĚRNÝM A STŘÍDAVÝM PROUDEM // Bipolární tranzistor při provozu stejnosměrným proudem // a) Tranzistor s homogenní bází — bezdriftový tranzistor // b) Tranzistor s nehomogenní bází — driftový tranzistor // Bipolární tranzistor při provozu střídavým proudem // a) Bezdriftový tranzistor // b) Driftový tranzistor // Vliv povrchové rekombinace a vysoké úrovně vstřikování nosičů // Vliv lavinového násobení nosičů v kolektoru // DRUHY TRANZISTORŮ A JEJICH TECHNOLOGIE // Technologie bezdriftových tranzistorů // Technologie driftových tranzistorů // a) Difundované tranzistory // b) Difúzně slitinové tranzistory // c) Epitaxní a planámí tranzistory ...365 // Srovnání hlavních technologických druhú tranzistoru ...367 // Konstrukční provedení běžných tranzistorů ...368 // 11.4. BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR JAKO PRVEK ELEKTRICKÝCH OBVODŮ 369 // Značení a schematické značky tranzistorů ...369 // Základní způsoby zapojení tranzistoru. Napájecí napětí a proudy ...370 // Statické charakteristiky tranzistoru ...372 //

a) Statické charakteristiky tranzistoru v zapojení se společnou bází ...374 // b) Statické charakteristiky tranzistoru v zapojení se společným emitorem ...376 // Pracovní oblasti tranzistoru a jejich charakteristické parametry. Lavinové tranzistory ...379 // Parametry charakterizující tranzistor při malých střídavých signálech ...382 // a) Impedanční tvar čtyřpólových rovnic pro tranzistor a soustava parametrů z 384 // b) Admitanční tvar čtyřpólových rovnic pro tranzistor a soustava parametrů ? 385 // c) Smíšený (hybridní) tvar čtyřpólových rovnic pro tranzistor a soustava parametrů h ...386 // d) Vzájemná souvislost mezi soustavami parametrů z,y a. h ...387 // 11.6. KMITOČTOVÉ VLASTNOSTI TRANZISTORU. VYSOKOFREKVENČNÍ // TRANZISTORY ...388 // Činitele omezující činnost tranzistoru na vysokých kmitočtech ...388 // Vztah mezi mezním kmitočtem tranzistoru v zapojení se společnou bází a se // společným emi torem ...391 // Veličiny charakterizující kmitočtové vlastnosti tranzistoru ...391 // Konstrukce vysokofrekvenčních tranzistorů ...394 // 11.6. FYZIKÁLNÍ NÁHRADNÍ SCHÉMATA TRANZISTORU ...395 // 11.7. VLIV VOLBY PRACOVNÍHO BODU A TEPLOTY NA PARAMETRY TRANZISTORU. VÝKONOVÉ TRANZISTORY ...398 // Stabilizace pracovního bodu tranzistoru ...399 // Ztrátový výkon a tepelná nestabilita tranzistoru ...400 // Zásady konstrukce výkonových tranzistorů ...402 // 11.8. IMPULSOVÉ VLASTNOSTI TRANZISTORŮ. SPÍNACÍ TRANZISTORY . . 404 // Přenos impulsů tranzistorem ...404 // Náhradní schéma tranzistoru pro velké signály ...406 // Druhy spínacích provozů a zásady konstrukce spínacích tranzistorů ...406 // 11.9. ŠUM TRANZISTORŮ ...408 // 11.10. FOTOTRANZISTORY ...410 // 11.11. SPÍNACÍ TÉÍVRSTVÉ DIODY — DIAKY ...412 // 11.12. PIEZOTRANZISTORY ...412 //

11.13. FYZIKÁLNÍ OMEZENÍ BIPOLÁRNÍCH TRANZISTORŮ ...413 // 12. SOUČÁSTKY S VÍCE PŘECHODY ...416 // 12.1. ČTYÉVRSTVÉ POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY ...416 // Princip funkce čtyřvrstvých polovodičových součástek ...416 // Konstrukce a technologie čtyřvrstvých polovodičových součástek ...422 // Elektrické vlastnosti čtyřvrstvých polovodičových součástek ...425 // 12.2. PĚTIVRSTVÉ POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY ...428 // Princip funkce pětivrstvých polovodičových součástek ...428 // Elektrické vlastnosti pětivrstvých polovodičových součástek ...432 // Konstrukce a technologie pětivrstvých polovodičových součástek ...435 // 12.3. SPECIÁLNÍ VÍCEVRSTVÉ POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY ...436 // 11 // 13. TRANZISTORY ftlZENÉ ELEKTRICKÝM POLEM S PŘECHODOVÝM HRADLEM ...438 // 13.1. PRINCIP FUNKCE A ZÁKLADNÍ ROVNICE PRO TRANZISTORY JFE 438 // 13.2. STATICKÉ PARAMETRY TRANZISTORU JFE ...443 // 13.3. DYNAMICKÉ VLASTNOSTI TRANZISTORU JFE ...445 // 13.4. KONSTRUKCE A TECHNOLOGIE TRANZISTORU JFE ...446 // 13.5. CHARAKTERISTICKÉ PARAMETRY TRANZISTORU JFE ...447 // 13.6. SPECIÁLNÍ SOUČÁSTKY VYUŽÍVAJÍCÍ PRINCIPU TRANZISTORU JFE 447 // 14. SOUČÁSTKY ZALOŽENÉ NA JEVECH NA ROZHRANÍ POLOVODIČE S JINOU LÁTKOU ...449 // 14.1. SOUČÁSTKY ZALOŽENÉ NA JEVECH NA ROZHRANÍ KOV—POLOVODIČ // Schottkyho dioda ...449 // Dioda s omezeným prostorovým nábojem ...452 // 14.2. SOUČÁSTKY SE STRUKTUROU KOV—IZOLANT—POLOVODIČ ...452 // Diody MIS ...453 // Tranzistory řízené elektrickým polem s izolovaným hradlem ...455 // a) Princip činnosti tranzistorů MOS ...455 // b) Základní charakteristiky tranzistoru MOS ...458 // c) Základní typy tranzistorů MOS ...461 // d) Konstrukce a technologie tranzistorů MOS ...463 //

e) Náhradní schéma tranzistoru MOS při nízkých kmitočtech a jeho základní zapojení ...464 // f) Kmitočtové vlastnosti tranzistorů MOS ...466 // g) Vliv teploty na vlastnosti tranzistorů MOS ...466 // h) Šum tranzistorů MOS ...466 // i) Fyzikální omezení tranzistorů MOS ...467 // j) Základní parametry tranzistorů MOS ...467 // Tenkovrstvé tranzistory řízené elektrickým polem ...468 // a) Princip činnosti a konstrukce tranzistorů TFT ...468 // b) Základní charakteristiky tranzistorů TFT ...468 // c) Reálné charakteristiky tranzistorů TFT a jejich stabilita ...470 // 15. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY V INTEGROVANÝCH OBVODECH 473 // 15.1. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY V MONOLITICKÝCH INTEGROVANÝCH // OBVODECH ...473 // Polovodičové odpory v MIO ...474 // Kondenzátory pro MIO ...475 // Bipolární tranzistory v MIO ...476 // Diody v MIO ...477 // Vícevrstvé součástky v MIO ...478 // Tranzistory řízené elektrickým polem v MIO ...478 // 15.2. POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY V HYBRIDNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODECH ...479 // 16. PŘEDPOKLÁDANÝ VÝVOJ POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK // V BUDOUCNOSTI ...480 // REJSTŘÍK ...483

(OCoLC)42088488

cnb000132548